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1、组成样卷B卷—答案杭州电子科技大学学生考试卷（B）卷答案一.单项选择题（20分，每题1分）1.D2.C3.C4.D5.C6.D7.A&D9.B10.D11.B12.D13.A14.B15.C16.C17.B18.A19.A20.D二.填空题（15分，每空1分）1.控制器中冇若干个专用寄存器，_贬寄存器用來存放指令，pc用來指出指令地址。微程序控制器中微程序存放于控存（CM）。2.半导体RAM通常分为SRAM和DRAM,主要区别在于：前者是用来存储信息的，而后者是用极间电容來存储信息的,前者与后者相比，速度快，价格高。3.从主存取出一条指令并执
2、行完这条指令的时间,称为指令周期。指令系统是指—一台计算机中所有机器指令的集合。4.在微程序控制器中，指令译码器的作用是产生指令的微程序入口地址。5.控制器由专用寄存器、指令译码器、时序系统、操作控制器构成，控制器的功能是取指令、分析指令、执行指令、处理特殊请求和异常情况。6.微指令的格式可以分为水平型微指令和垂直型微指令,前者并行处理能力强，但微指令字长长，三.计算题（18分）1.（18分）设浮点数的格式为：阶码5位，包含一位符号位，尾数4位，包含一位符号位，阶码和尾数均川补码表示，排列顺序为：阶符（1位）阶码（4位）数符（1位）尾数（4位
3、）则按上述浮点数的格式：①（2分）若数Z的浮点数的16进制形式为OABH,求Z的十进制的其值。[Zb=O,01010.1011Z=（）.l（）l1x2^=1011（）Z=22②（4分）若（X）io=15/32,（Y）1（）=-1.25,则求X和Y的规格化浮点数表示形式。X=0.01111X=0.1111x2_1【X】浮=1,11110.1111丫=一1.（）1Y=-0.1010x2+1【Y】浮=（）,（）（）（）11.0110③（5分）求（要求用补码计算，列出计算步骤）。④（7分）求IX*Y］（要求阶码用补码计算，尾数用补码BOOTH算法计算
4、，列出计算过程和算式）。四.综合设计题（47分）1.（20分）某机字长8位，CPU地址总线16位，数据总线8位,存储器按字节编址，CPU的控制信号线有：MREQft（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：（1）（2分）若该机主存采用16KX1位的DRAH芯片（内部为128X128阵列）构成最大主存空间,则共需个芯片。若采用异步刷新方式，单元刷新周期为2ms,则刷新信号怅周期为mso（2）（4分）若为该机配备1KX8位的Cache,每字块4字节，采用4路组相联映象，则主存地如屮字段块内地址2位
5、,字段Cache组地址6位,字段高位标记一8一位。若主存地址为1234H,贝IJ该地址映象到的Cache的第组。（3）（4分）若CPU执行一段时间时，Cache完成存取的次数为2400次，主存完成的存取次数为10（次，已知cache的存储周期为20ns,主存的存储周期为100ns。则Cache/主存系统的平均访问时间为23.2或24ns,Cache/主存系统的效率为86.2%或83.3%,（4）（10分）若用若干个8KX4位的SRAM芯片形成24KX8位的RAM存储区域，起始地址为2000H,假设SRAH芯片有CS#（片选，低电平有效）和WE
6、#（写使能，低电平有效）信号控制端；试互岀RAM的地址范围，并画岀SRAM与CPU的连接图（请标明SRAM芯片个数、译码器的输入输出线、地址线、数据线、控制线及其连接）。2.（27分）设某8位计算机指令格式如下:0P(4位)SR(2位)DR(2位)ADDR/DATA/DTSP注意：除了HMT指令为单字指令外，其他指令均为双字指令；其中，SR为源寄存器号，DR为目的寄存器号，指令第二字为地址、数据或偏移量。模型机结构如图1：（1）（9分）下面是该模型机的指令系统的一部分：指令助记符功能OPMOV1DR,DATADATA-*DR0000MOV2[
7、ADDR],SRSR-ADDR0001ADDDR,[[ADDR]](DR)+((ADDR))-DR1000SUBDR,[SI-ADDR](DR)一((SI)+ADDR)-DR1001JMPDISP(PC)+DISP-PC1100内存地址的部分单元内容如卜•:单元地址内容单元地址内容单元地址内容10H80H20H01H241191H11H90H21H23H251101H12H10H22H81H26HFOH13U111123U12U27U20H若（PC）=2011,变址寄存器（ST）=10H,则此时启动程序执行，问执行了儿条指令程序停止?写出每条
8、指令的助记符、寻址方式、EA、操作数和执行结果。单元地址指令码助记符寻址方式EA操作数执行结果20H01H21H23HMOV1R1,23H立即数23H(Rl)=23
