ldmos器件仿真设计实验

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1、电孑科技丈学实验报告学生姓名：于全东学号：201322030315指导教师：乔明一、实验室名称：211楼803二、实验项目名称：半导体功率器件与智能功率TC实验一一LDMOS器件仿真设计实验三、实验原理：利用medici仿真实验四、实验目的：通过实验，了解LDMOS器件的结构，掌握LDM0S器件的设计方法，熟悉MEDICI软件的使用。五、实验内容：完成一种700VRESURFLDMOS器件完整的设计仿真工作，其指标达到预定要求。其屮，主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化,确定栅氧厚度、沟道浓度、栅长、漂移区掺杂、漂移区厚度

2、等重要的浓度和结构参数。通过改变漂移区浓度，获得RESURF器件的哑铃型表面电场分布。LDMOS指标要求：BV>700V,VT1-2V,VG7Vmax六、实验器材（设备、元器件）:MED1C1软件七、实验步骤：LDMOS结构定义:titleIdmosassignname二ndn.val=7el4assignname=tepin.val13assignname^ldn.val60assignname二dsubn.val15assignnamc=pwelln.valassignname^dpwcl1n.val=l.28cl6meshsmooth

3、二1x.meshwidth=@ldhl=l.2y.meshn二1L二-0.35y.meshn=6L二-0.02y.meshn二71=0y.meshdepth=0.2hl=0.2y.meshdepth=@dpwell-0.2hl二0.2y.meshdepth=@tepi-@dpwe11hl=0.1h2=0.2y.meshdepth=@dsubhl=0.2h2=0.4h3=2regionname=siy>max=@tepisiliconregionname=suby.inin二episiliconregionname=sioy.max=0oxi

4、deelectrodname=gatex.min二1.9x・max二3・5y.min=一0.35y・max二一0.02electrodnamc=sourcex.max=l.3y.max=0electrodname=drainx.min二@ld-0.8y.max=0electrodname=subbottom$$$$$ndrift$$$$$$$profileregion二sin-typen•peak=@nduniform$$$$$n-buffer$$$$profileregion二sin-typen.peak=5el6xy.ratio二0.6

5、x・min二@ld-2y.junction=@dpwoll$$$$$p-well$$$$profileregion=sip-typen.peak=@pwell+@ndxy.ratio二0.6x.min二0x.max二2.6y-junction=@dpwellprofileregion二sip-typen.peak=lc20x.min=0x.max=2.6y.min=@dpwoll-0.6y.max=@dpwell一0.1uniforin$$$$n+/p+source$$$$xy.ratio二0.4x.min=0x.max=lxy.ratio

6、=0.4x.min=lx.max=2profileregion二sip-typen.peak=le20y.junction二0.2profileregion二sin-typen.peak=le20y.junction二0.2$$$drain$$$profileregion二sin-typen.peak二le20xy.ratio二0.4x.min二@】dTy.junction=0.2$$$$$psub$$$$$$$profileregion二subp-typcn•peak=5el4uniformregridignore=siodopinglo

7、garithratio二1smooth二1cos.angle二0.8$$$$gatematerial$$$$$contactname=gatcn.polysisaveout.f二ldmos.mesh$$$$plot$$$$plot•2dgridfillscalettheorignalgird"plot.2dboundaryscalejunctionfilltitle二"thejunctionprofiles"plot.Iddopingy.start二0・01y.end二0.01title二〃surfacedopinglog"y.logplo

8、t.Iddopingy.start二0.01y.end二0.01title二〃surfacedoping"plot.Iddopingy.start=3y.ond=3title=〃