大功率射频ldmos器件设计优化与建模

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2、指导教师邓小川副教授．，‘．＇＇＂■’‘‘，．■－Ｖ，＼．、－，‘，＇．。‘，＾？Ｘ■’—，’‘ｆＶＶ＼＇‘术’’Ｖ‘．Ｉ：独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加レッ标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡

3、献均己在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名．；甘言论曰期：＞４年月多。曰文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘，允许或论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可将学位论文的全部部分内容编入有关数据库进行检索，可Ｗ采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遭守此规定）７小Ｗ作者签名：巧怎导师签名：下日期：年＾月如日分类号密级注1UDC学位论文大功率射频

4、LDMOS器件设计优化与建模(题名和副题名)甘志(作者姓名)指导教师邓小川副教授电子科技大学成都(姓名、职称、单位名称)申请学位级别硕士学科专业微电子学与固体电子学提交论文日期2016.04论文答辩日期2016.05学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月答辩委员会主席评阅人注1：注明《国际十进分类法UDC》的类号。DESIGNOPTIMIZATIONANDMODELINGOFHIGHPOWERRFLDMOSTRANSISTORAThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceand

5、TechnologyofChinaMajor:MicroelectronicsandSolid-StateElectronicsAuthor:GanZhiSupervisor:AssociatePro.DengXiaochuanSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics摘要摘要LDMOS(LateralDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor)器件以其各方面的优势已经基本取代双极型器件成为射频领域的主流技术，由于RFLDMOS器

6、件巨大的市场前景和重要的军用价值，成为了半导体行业研究的热点，我国也已展开了对硅基RFLDMOS器件的研发工作。本设计的目标是获得一款大功率RFLDMOS器件，该器件采用双层源极场板和背面源结构，利用半导体仿真软件优化设计器件结构和各区域杂质注入剂量，使器件具有较好的直流特性和频率特性，然后根据器件具体结构绘制器件版图，并在上海华虹宏力半导体制造有限公司完成器件的制造。对小栅宽器件的直流测试结果表明，器件击穿电压大于100V，饱和电流密度大于180μA/μm，阈值电压约为2.2V，对大栅宽封装器件的测试结果表明，在频率为1090M

7、Hz、漏源电压为50V的测试条件下，器件最大输出功率达到500W，效率达到45%，增益达到18dB，达到了设计指标的要求。本论文还尝试性地对器件进行了小信号建模，提取了器件小信号等效电路中的寄生参数和本征参数，并在ADS中进行了优化，基本完成了器件小信号模型的建立。探讨了大信号建模的意义和基本思想，介绍了一种大信号建模方法。关键词：LDMOS，大功率，高频，建模IABSTRACTABSTRACTLateraldoublediffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)transistorhasbasic

8、allyreplacedbipolardevicesandbecomethemainstreamtechnologyintheradiofrequency(RF)fieldbecauseofitsallkindsofadvantages.Dueto