功率vdmos物理结构与特性研究与建模

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时间:2019-02-02

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1、摘要功率VDMOS是功率电力电子的主流产品之一。它具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等各种领域。由于我国90%以上VDMOS产品需要进口,因此对VDMOS器件的物理特性及电学特性研究与建模有着重要实际意义。本文研究和建立了两个在VDMOS设计与应用中的关键模型。一个是VDMOS导通电阻模型,导通电阻是衡量VDMOS性能的重要指标。本文从VDMOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,提出了一种建立导通电阻模型的新方法。本文提出的导通电阻二维模型

2、与数值模拟结果以及试验数据的吻合度较好。该模型具有显示(ClosedForm)解析表达式,勿需迭代,物理意义明显,它可以准确分析导通电阻随各种结构参数变化的关系,这对于优化设计该类器件具有指导意义。另一个是VDMOS等效电路SPICE模型。本文详细分析了VDMOS的物理结构中各种寄生效应对VDMOS电学性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路模型,并利用MEDICI软件给出了提取VDMOS等效电路模型参数的方法与步骤。所建立的模型能够进行直流分析和瞬态分析,能够得到全电压范围内连续的I-V特性曲线,其中包括线性区、饱和区

3、和准饱和区,并实现了线性区与饱和区之间的平滑过渡。该等效电路模型能够应用于电力电子电路的CAD设计之中,满足工程应用的需要。此外,由于本文建立的模型基于器件物理结构,因此也可以用来对VDMOS器件进行结构优化设计。除以上两个模型以外,本文还补充分析了其他需要重点考虑的与VDMOS密切相关的参数与特性。关键词:VDMOS,导通电阻,SPICE,模型,MEDICIAbstractPowerVDMoSisawidelyusedpowersemiconductordeviceinswitched-modelpoWerconverter

4、s.amomotiveelectronics。motorcontrol。lamphallasts,andSOfomLbecauseitoffersbetterperformanceininputimpedance,switchingspeed,safetyoperatingareaandthermalstabilitythanbipolarpowertransistor.NowadaysMorethan90percentsofVDMoSproductsinchinaneedtobeimported.Themfom.itisve

5、ryimportanttostudyandmodelthephysicalandelectricalcheracteristicofVDMOS.Tw0keymodelsforVDMOSfordesignandapplicationaredevelopedbytheauthor.OneiSanewon-resistancemodelforVDMOSdevicas.Tbeon-resistancaisoneofthemostimportantdm∞cte—stiCSofpowerVDMOStransistors.Anewmetho

6、dofmodelisproposedbasedonphysicalstructureandpoissonequation.他modelwithaclearphysicalconceptandanalyticalclosedformexpressionsisingoodagreementwithsimniationandexperimentalresults.ItancomRsfortheorl—resistancevariationswithdifferentparameter.Inthispaper,optimaldesig

7、nprinciplesandphysicalparametersofVDMOSareobtainedbased011theon-resistanc宅model.TheotheriSanaccurateSPICEmodelforPOWerVDMOS.ThevariousparasiticdevicesinsidevDMOSareanaiysedanddiscussed.AnequivalentcircuitmodelforVDMoSisderivedbased011theparasiticdevices.111eapproach

8、andsystematicprocedureforparameterextractionalegiven.SimulmedresultsofthismodeIareinexcellentagreementwiththeresultsobtainedbyh也DICI.111is

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