功率vdmos设计与优化方法的研究

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3、论文不含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中Ｗ明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位／论文作者签名：受矣日期：年＾月＾日［違Ｉ学位论文使用授权书学位论文作者完全了解北方工业大学有关保留和使用学位论文的规定，艮Ｐ；研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属北方工业大学。学校有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版，允许学位论文被查阅和借阅；学校可Ｗ公布学位论文的全部或部分内容，可Ｗ允许采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文（保密的学位论文在

4、解密后适用于本授权书）。□保密论文注释：经本人申请，学校批准，本学位论文定为保密论文，密级：，期限：年，自年月日起至年月日止，解密后适用本授权书。非保密论文注释：本学位论文不属于保密范围，适用本授权书。本人签名：日期：＞４的鸣导师签名；＿日期；方＇占為參辜＾功率ＶＤＭＯＳ设计与优化方法的研究摘要近几年功率ＭＯＳ管和功率集成电路的发展越来越快，在汽车电子、变频器、开关电源、电机调速器、高频振荡器等领域的应用也越来越广，为了满足人们的需求陆续研制出了各种结构的功率ＶＤＭＯＳ场效应晶体管有超结结构、半超结结构等。这些新型结构的

5、出现无不是为了提高功率ＶＤＭＯＳ的击穿电压，降低导通。电阻，提高开关频率送些重要的性能指标功率ＶＤＭＯＳ的设计主要需要考虑的就是器件的结构和工艺，新型结构的出现都是在传统结构的ＶＤＭＯＳ基础上进行改进而来的，但是纵观近几年功率一ＶＤＭＯＳ的发展，新结构的提出仅仅只是改变了某项性能而己，并且在工艺上也有较大的难度制作成本也増高。本文在传统功率ＶＤＭＯＳ结构的基础上从器件的结构参数入手，针对在不同的结构参数下研究器件性能的改变。主要包括；击穿电压和导通电阻的影响因素、器件各结构参数对纵向电场的影响、源漏之间寄生电容的影响因素。（１）击穿电压和导通电阻的

6、影响因素：通过修改器件的外延层厚度与外延层慘杂浓度仿真在不同的结构尺寸下击穿电压和导通电阻的变化趋势，在固定的参数范围内使器件的击穿电压尽量大，，导通电阻尽量小。并且进行对比分析得到最佳的设计参数和最优的设计方法。２、、Ｐ－（）器件的纵向电场：修改器件的外延层厚度外延层惨杂浓度ｂｏｄｙ间距－ＶＤＭＯ直方、Ｐｂｏｄｙ结深、栅源电压、源漏电压仿真得到在不同的尺寸下Ｓ垂向上电场的分布和最大电场点位置的改变，并且定性的给出电场随这些参数的变化规律。（３）源漏电极之间寄生电容的影响因素：改变ＶＤＭＯＳ的外延层厚度、外延－，Ｖ特性曲线ＶＤＭＯＳ层渗杂浓度和

7、栅源电压在不同的尺寸下仿真其Ｃ，分析得到源漏之间的寄生电容随外延层厚度。为、外延层渗杂浓度、栅源电压变化的规律，，了尽量增大其开关频率，减小电极间的寄生电容根据分析得到最佳的设计尺寸优化器件的性能。关键词：ＶＤＭ０Ｓ，纵向电场，击穿电压，导通电阻，寄生电容ＩＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＰｏｗｅｒＶＤＭＯＳｄｅｓｉｎａｎｄｏｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｓｇｐＡｂｓｔｒａｃｔＰｏｗｅｒＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓａｎ