2009集成电路系统设计基础试卷

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1、可编辑版华南农业大学期末考试试卷2009学年第1学期　考试科目：集成电路系统设计基础考试类型：（开卷）　　　考试时间：　120　分钟学号姓名年级专业题号一二三四五总分得分评阅人刘刘刘刘刘刘一、选择题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）1．为了提高集成度所采取的途径不合适。A．提高微细加工技术；B.晶圆大直径化；C.芯片面积缩小；D.简化电路结构2．发明了世界上第一块集成电路，为此他在2000年获得诺贝尔物理学奖。A．WilliamB.ShockleyB．WalterH.BrattainC．JackKilbyD．JohnBardeen3．在图案发生器法中，规定版图基本图形为矩形。

2、每个矩形条用5个参数进行描述，下面不属于矩形条描述参数的是A．矩形高度HB．矩形宽度WC．矩形左下角坐标X、YD．矩形宽度W所在的直线与X轴夹角A5．下列集成电路有源器件工艺中，潜在速度最高的是：A．CMOSB．NMOSC．BiCMOSD．GaAs6．在工艺的晶体结构中存在大量可高速迁移的电子即二维电子气。A．MESFETB．HBTC．HEMTD．MOS7．硅栅工艺出现后，MOS制作工艺得到了极大的改善，其原因主要是：A．形成了自对准技术B．硅栅比铝栅成本低C．硅栅容易制作；D．器件集成度更高8．下列半导体集成电路工艺中不属于外延生长工艺的是Word完美格式可编辑版A．P－CVD；B

3、.MOVPE；C.MBED.LPE9．下列集成电路设计的表示方法中，不属于同类设计方法的是：A．CBIC；B.GA；C.ISPD.GS10．集成电路设计的最终输出是：A．电子产品；B.电路图；C.版图D.掩模二、填空题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）1．描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为：、、芯片面积、晶片直径以及封装。2．在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为区；一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为区。3．摩尔定律是：______________________________________________________________

4、_________________________________。4．IC设计单位不拥有生产线，称为，IC制造单位致力于工艺实现，没有IC设计实体，称为。6．根据不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。7．IC工艺中的“制版”就是要产生一套分层的版图掩模，为将来进行，即将设计的版图转移到晶圆上去做准备。8．薄层电阻又称方块电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，常用欧姆每方表示。其值直接反映的是。9．半导体集成电路薄膜制备的主要工艺有：外延、氧化、、。10．在单位电场强度作用下，载流子的平均漂移速度称为载流子的迁移率[cm2/V·S]，它反映了载流子在半导体内

5、作定向运动的难易程度，其值的大小直Word完美格式可编辑版接影响。三、判断题，正确的在括号内打“√”，错误的打“×”（本大题共10小题，每小题1分，总计10分）1．在杂质半导体中多子的数量主要与温度有关。（）2．在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是电子电流。（）3．掺杂材料与材料系统的区别在于：掺杂材料的掺杂原子比率很高，材料系统的外来原子比率很低。（）4．光刻胶可分为正性胶和负性胶两种，其中使用负性光刻胶时，未感光部分能被适当的溶剂刻蚀，而感光的部分留下。（）5．利用二氧化硅把各元件所在的区域包围起来实现隔离的技术称为介质隔离。（）6．在MOS及双极器件中，多晶硅（Poly

6、Silicon）常用于制作栅极、形成源极与漏极（或双极器件的基区与发射区）的欧姆接触。（）7．半导体器件中的绝缘材料常用于电隔离及器件表面的钝化层，一般不用于充当离子注入及热扩散的掩膜。（）8．随着工作频率的增加，一些诸如互连线的IC元件的尺寸变得很大，以至于它们可以与传输信号的波长相比，这时这些元件应定义为集总元件。（）9．同时减小MOS器件栅长和栅宽以及氧化层厚度，可保持漏极电流不变，但导致器件占用面积减小，电路集成度提高。（）10.以下版图中箭头X表示宽度，Y表示间距，Z表示交叠。（）XYZWord完美格式可编辑版四、问答题（本大题共5小题，每小题3分，总计15分）1．什么是多

7、项目晶圆技术，该技术有什么意义？答：2．在怎样的条件下金属与半导体分别形成欧姆接触和肖特基接触？答：Word完美格式可编辑版3．试从速度、功耗、负载能力三方面简单分析比较双极型器件、CMOS器件和Bi-CMOS器件的优缺点。答：4．SiO2膜在IC器件制程中作用巨大，试列举其三种以上的作用答：5．集成电路封装的主要作用有哪些？答：Word完美格式可编辑版五、分析题（本大题共4小题，总计35分）1.请根据如下PSpice电路文件画出电路结构图和输入电压的波形