资源描述：
《vlsi芯片的可测试性_可调试性_可制造性和可维护性设计》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、!一∀#∃%&∋(计算机工程与科学#,!年第#∃卷第5期一、‘8,)∗∗)《刃+∀!,−675#∃7∀#!./(0∋1213)112)34∗)11,一一一文章编号95,:;+∀!,<:#,!;,∀,,=#,>、、6?∗)芯片的可测试性可调试性可制造性和可维护性设计‘ΑΒΕΓΑΒΗΙ,ΑΛΙ,6?∗)≅ΧΔΦ7∋ϑΧ5ΧΗΚ≅ϑΔΔϑΧ5ΧΗΚΙΕΛΑΗΛΓΙ,ΙΕΑΑΑΙ/ΦΙϑΧ5ΧΗΚΜ∗ΓΝΧϑΧ5ΧΗΚ沈理∗Ο1?Χ,:中国科学院计算技术研究所北京∀,,,%,;,,,:)ΕΒΗΧΗ7ΗΑ7Φ
2、7Π(ΛΗΧΕΔ∋ΑΑΘΕ757ΔΚΘΧΕΑΒΑΡΑΙΜΑ7Φ∗ΑΧΑΒΤΑΧΥΧ雌∀,,,%,ΘΧΕΙ》ΠΚΕΣΑ,、、,摘要9/.∗器件进入深亚微米阶段Ν岱)集成电路:);继续向高集成度高速度低功耗发展、、、测试上都。,6)芯片使得)Σ在制造设计封装面临新的挑战测试已从)设计流程的后端移至前端玲。可测试性设计已成为)设计中必不可少的一部分本文介绍近几年来6璐)芯片可测试性设计的趋,,、、,势提出广义可测试性设计:∋≅/∗技术;概念即可测试性可调试性可制造性和可维护性设计并对。可调试性设计方法学和广义可测试
3、性设计的系统化方法作了简单介绍ΡϑΒΗΓΙΑΗ9/.∗ΜΑΝΧΑΑΜΧΠΑΕΒΧ7ΕΒΘΙΝΑϑΑΑΕΜ7ςΕΗ7ΗΘΑΜΑΑΩ一ΒΛϑ而ΑΓ786玲?ΑΘΧΩΒΙΓΑΔ7ΧΕΔΗ7ςΙΓΜΘΧΔΘΑΓΑΕ7,ΑΓΒΑΑΑΓΑΓΒΒ7Ε,ΙΕΕΑςΑΑΕ∃ΑΙΗ7Ε,ΑΒ,ΩΙΑΙΕ,ΜΧΗΚΘΧΔΘΩΜΙΕΜ57ςΩ7ςΜΧΧΩΙΗΧΠΞΧΔΘΙ55罗7Ε)ΦΙϑΓΧΧΜΧ,ΞΔΧΔ8,8ΙΕΗΑΒΗΕΓΗΑΑΒΗΧΕΗΑΒΗΕΙΒΑΑΕΝΑΑΑΕΑΒΗ7ΗΑΕΗ7ΕΑΑΒΕΓΗΑΒΗΙΖΜΧΔΨ7Θ)ΗΔΧΔΘϑ
4、Π7ΜΦΓ7ΠΗΘΜΜΧ罗ΘΦΓ76路∀ΜΧΔΦ7Η78ΙΑΓΕ8ϑΧ5ΧΚ:≅卿;ΘΙΒϑΑΑ7ΠΑΙΝΑ叮ΧΓΗΙΕΗΩΙΓΗ7Φ)ΜΑΒΧΔΕ∋ΘΑΩΩΧΕΗΓ7ΜΛΑΑΒΗΘΑΗΓΑΕΜ7Φ≅Ψ∋ΧΓΑΑΑΕΗΚΑΙΓΒ呷Α7ΕΑΑ7ΑΕΑ[ΑΗΑΑΕ77ΒΒΑΕΗΑ,ΗΘΙΗΧΒ,ΗΘΑΑΒΕΓΗΑΒΗΙ,ΗΘΑΑΒΕΡΩΗΦΔΓΙ5ΧΜ≅碑:∋≅/∗Θ5群;ΧΩΓΑΜΜΧΔΦ7ϑΧ5ΧΗΚ:≅碑;ΜΧΔΦ7ΓΑϑΛΔΔΙϑΧ5Χ,ΗΘΑΑΒΕΓΙΕΛΑΗΛ,ΙΕΑΑΒΕΓΒΑΑΑΙ8ΑΜΗΚ:≅Ψ≅;ΜΧΔΦ
5、7ΠΦΙΓΙϑΧ5ΧΚ:≅Ψ/;ΜΗΘΜΧΔΦ77ΧϑΧ5ΧΗΚ:≅邓;∋ΘΠΑΗΘ7Μ757盯7Φ≅Ψ≅ΙΕΜΗΘΑΒΚΒΗΑΠΙΗΧΑΠΑΗΘ7ΜΒ7ΦΔΑΕΑΓΙ5Χ[ΑΜ≅盯ΙΓΑΔΧΝΑΕ·关键9∴∴词超大规模集成电路芯片设计可测试性设计]ΑΚς7Γ96)9ΑΘΧ(ΜΑΒΧΔΕ9≅ΜΒ?∗Ψ∋中图分类号9∋(!,#8∀文献标识码9Ρ8、87#∃Ν5_Ν、∀,Β、槛电压电源电压延迟时间Ω集。∀引言成度)3晶体管:≅2Ρ/早已达到)3;可以看出,晶体管尺寸下降导致门槛电压下降,使得电源‘一。,,Σ/7∗器件一直在缩小
6、尺寸〔⊥#∀世纪前电压下降从而一方面功耗下降集成度可以提,,8∀拜Π一,8∀!,∴,,。五年内对于拼Π光刻技术/.∗晶高另一方面速度提高工作频率可以提高因9/.∗Ε、,、、体管水平将达到沟道长度∃,Π多晶硅删此Ν?∗)芯片继续向高集成度高速度低功耗发,。、氧化层厚度)ΕΠ一_ΕΠ:)ΕΠ仅为若干原子层;Φ5展但深亚微米:≅∗/;集成电路也面临新挑战⎯一一一收稿日期9#:−;#,∀,∴修订日期9#加#,∃#%基金项目9国家%>!计划资助项目:#阅)ΡΡ5557;一,,,,,、。作者简介9沈理:∀=!+;男浙江杭州人研究员
7、博士生导师研究方向为计算智能6此)测试和∗.设计,89一9Α,Ε通讯地址95。汉;%,北京市中国科学院计算技术研究所9乳一:,∀,;>#∃>∃∃!!一∃>,=91ΠΙΧ55ΒΘΑΕαΔΒΑΧΑΗΙΑ89ΕΒ,ΕΑΑΒ,Ε,8ΡΜΜΓΑΒ)ΗΧΗΛΗΑ7Φ7Π(ΛΗΧΕΔ∋ΑΑΘΕ757ΔΚΘΧΕ7ΒΑΡΑΙΜΑΠΚ7Φ∗ΑΧΑΤΑΧΥΧΔ5:−−;%,(2ΘΧΕΙ,。晶体管尺寸不断缩小面临高漏电流和短沟测试方法或通过产品分级继续利用。一道效应两个问题制造工艺上的挑战涉及/.∗∃实际坏测试好表示每百万芯片缺陷率,
8、,“”晶、、。%&∋()允)∗。&)∋+,,+−().+/0简称%&∋∀漏网体管几何形状设计掺杂工艺光刻技术等6岱)芯片特别是()⊥:包括微处理器、微控的芯片会引起后续系统产品的质量和返修问题,制器、≅∗(;涉及的问题有9互连线复杂性、多种存甚至涉及产品信誉。提高测试的故障覆盖率可降储器和逻辑电路的
