位错对半导体材料性能的影响

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划位错对半导体材料性能的影响　　理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。其中晶体缺陷包括3种：点缺陷、线缺陷和面缺陷。　　位错是典型的线位错，有刃型位错、螺旋位错。晶体中沿某一条线附近的原子排列偏离了理想的晶体点阵结构，从而在一

2、维方向上构成一定尺度的结构缺陷。这种缺陷只在一个方向上延伸，又称为一维缺陷。　　位错对半导体的影响有以下四方面：　　1.位错可起一定的施主和受主作用：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　Si、Ge中的60o棱位错存在有一串悬挂键,可以接受电子而成为一串负电中心,起受主作用，也可以失去电子而成为一串正电中心,起施主作用；这些受主或施主串形成的能级实际上组成一个一维的

3、很窄的能带。不过,单纯的位错即使浓度达到105/cm2,它所提供的载流子浓度也只是约1012/cm3，故对半导体的导电性能的影响实际上不大；但是,当位错密度较高时,它将对n-型半导体中的施主有补偿作用,使电子浓度降低。　　注解：　　60o棱位错：半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度棱位错。因为在(111)晶面内，位错线的方向是方向，该方向与晶面滑移方向互相构成60度的夹角，故有60度棱位错之称。　　悬挂键：一般晶体因晶格在表面处突然终止，　　在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。　　位错密度：穿过单位截面积的

4、位错线数目，单位也是1/平方厘米　　2.位错是散射载流子的中心：　　位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响迁移率;不过在位错密度<108/cm2时,这种散射作用可忽略。但在n-型Si中,位错作为受主中心电离后即形成一条带负电的线,这将对载流子产生各向异性的散射作用。　　3.位错起复合中心作用：　　位错在半导体中形成的都是深能级,起着复合中心的作用，将促进载流子的复合。　　注解：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安

5、全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　深能级是指靠近导带的空穴束缚态，或能量很接近价带顶的电子束缚态。　　复合中心是半导体中能够促进非平衡载流子复合的一类杂质或缺陷。复合中心的能级是处在禁带中较深的位置，故复合中心杂质往往又称为深能级杂质。　　4.位错将促进杂质的沉积：　　位错应力场与杂质的相互作用,使得杂质优先沿位错线沉积;特别是在Si中溶解度小、扩散快的重金属杂质(Cu、Fe、Au等),更容易沉积在位错线上。这就将形成大量的深能级复合中心,甚至引起导电通道。如果有一定量的C、O或

6、N原子沉积在位错线上(实际上是处于某种键合状态),可以“钉”住位错,使得位错不易滑移和攀移,这将使Si片的强度大大提高。　　材料微观缺陷对材料性能的影响　　随着社会的发展、时代的进步，人们的生活水平不断提高，生活品质也进一步提升，这对于材料的要求也不断地提高。这促使人们不断的深入研究材料的微观晶体结构，通过各种手段改善材料的各个方面的性能。晶体的生长、性能以及加工等无一不与缺陷紧密相关。因为正是这千分之一、万分之一的缺陷，对晶体的性能产生了不容小视的作用。这种影响无论在微观或宏观上都具有相当的重要性。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展

7、的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　研究人员希望材料的晶体是理想的完整晶体，但是所有的自然和人工晶体不是理想晶体完整的，他们的许多特性并非由规则的原子排列决定，而是由不规则排列的晶体缺陷而决定。金属物理学家在研究金属的加工变形时就发现了晶体缺陷与金属的变形行为及力学性质有密切的关系。后来，材料科学家发现这类缺陷不仅控制着材料的力学性状，而且对材料的若干物理性质有直接的影响，材料科学领域里逐渐发展了晶体缺陷理论，近10多年来人