单晶位错对电池性能的影响final

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时间:2018-08-09

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1、单晶位错对电池性能的影响1.引言单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构,其电池效率明显高于多晶硅电池,是硅基高效太阳能电池的首选材料。然而,单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率,比如:光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的光致衰减;内部金属杂质和晶体缺陷(位错等)的存在会成为少数载流子的复合中心,影响其少子寿命。本文研究了单晶硅片位错对电池性能的影响,并讨论了单晶拉制工艺对位错的影响。作为少数载流子的强复合中心,位错会严重影响硅片的少子寿命,最终影响电池和组件性能。2.实验本实验对大量低档电池片及其组件

2、进行了研究,现从中选取一块典型组件和两片典型电池片举例说明。实验过程如下:组件做电致发光EL(electroluminescence)测试→光照条件组件电性能测试。电池做电致发光EL测试→光照条件电池电性能测试→电池光诱导电流密度(LBICCurrent)测试→硅片少子寿命测试→化学抛光腐蚀后观察位错→SIMS元素分析。3.实验结果和分析组件电致发光EL测试如下图1所示。由图可见,组件的电池片中存在着大量黑心和黑斑的情况。图1组件EL测试电致发光EL测试使用的是某公司的ElectroluminescenceInspectio

3、n设备。EL照片中黑心和黑斑反映的是在通电情况下该部分发出的1150nm红外光相对弱,故在EL相片中显示为黑心和黑斑,发光现象和硅衬底少数载流子寿命有关。由此可见,黑心和黑斑处硅衬底少数载流子寿命明显偏低。组件电性能测试如图2所示。由图可见,组件短路电流Isc(4.588A)和最大功率Pmax(143.028W)明显偏低;此类正常组件短路电流Isc一般为5.2A,最大功率Pmax一般为175W以上。说明组件中存在着大量低效率电池片,导致组件功率的严重下降。图2光照条件组件电性能测试而后,我们进行了电池片电致发光EL测试,如下

4、图3和4所示。其黑心和黑斑现象如组件EL测试所见。图3样片1EL测试图4样片2EL测试光照条件电池电性能测试如表1所示。表1光照条件电池电性能测试UocIscRsRshFFNCellUrev1Irev1Urev2Irev2样片10.6134.730.02616.9956.670.1106-100.874-121.041样片20.5874.620.005104.2176.60.1399-100.131-120.1653两片电池效率分别为11.06%和13.99%,Isc分别为4.73A和4.62A,均明显偏低;而此类正常电池片

5、效率一般为17.5%左右,Isc为5.3A左右。电池光诱导电流密度(LBICCurrent)测试如图5和6所示。图5样片1LBICCurrent测试图6样片2LBICCurrent测试然后,电池经过去SiN膜、去正反电极、去铝背场和n型层,再经碘酒钝化后,硅片少子寿命测试如图7和8所示。图7样片1少子寿命测试图8样片2少子寿命测试硅片少子寿命测试与电池光诱导电流密度(LBICCurrent)测试和电池EL测试具有很好的对应关系,说明造成电池效率低的原因为硅片本身内部缺陷所致,与电池工艺没有直接关系。而后,对硅片进行化学抛光和

6、Wright液腐蚀,样片2呈现出明显的与EL测试、电流密度(LBICCurrent)测试和少子寿命测试相对应的图案形貌,如图9所示。黑心外黑心内图9样片2经化学腐蚀后图案形貌样片1的光学显微观察如图10和11所示,局部区域具有很高的位错密度达10E5~10E6左右。样片2的光学显微观察如图12和13所示,在如图9所示的中心圆形图案形貌内,其位错密度均高达10E6~10E7左右。图10样片1位错密度10E5~10E6(×500倍)图11样片1位错密度10E5~10E6(×500倍)图12样片2位错密度10E6~10E7(×20

7、0倍)图13样片2位错密度10E6~10E7(×500倍)最后,我们对如图9中,样片2所示的黑心内外做SIMS测试,测试结果如表2所示。SIMS测试结果显示,黑心内外各种杂质含量正常。表2样片2SIMS测试Concentration(at/cm3)样片2BPCOAlCrMnFeNi黑心内1.30E+16<2E14<1e161.06E+18<7E13<5E12<1E13<1E13<1E14黑心外1.31E+16<2e14<1e161.02E+18<7E13<5E12<1E13<1E13<1E14综上所述,正是由于硅片中存在着极

8、高的位错密度,成为少数载流子的强复合中心,最终导致电池性能的严重下降。而与电池工艺和材料内部杂质无直接关系。4.拉晶工艺对单晶位错的影响4.1引颈对单晶位错的影响由于籽晶和硅熔液接触时的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用引颈生长使之消失。引颈是将籽晶快速往上提升,使长出的晶体直径缩

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