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《背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第34卷第2期电子器件Vo.l34No.22011年4月ChineseJournalofElectronDevicesApr.2011StudyoftheInfluenceofBackSideEtchingonthePerformanceof*MonocrystallineSiliconSolarCells112111YANGChao,SHENHonglie,WUJingbo,CHENGHaili,JIANGFen,LIBingbing1.CollegeofMaterialsScience&Techno
2、logy,NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Nanjing210016,China;2.NanjingShiningsunTechnologyDevelopmentCo.,Ltd,Nanjing211300,ChinaAbstract:Toreducethecarrierrecombinationontherearsideofsolarcells,thisarticlecarriedouttheionbeametchingontherearside
3、ofsinglesidediffusedanddoublesidediffusedsiliconwafersafterdepositingSiNxantireflectioncoating.Theinfluenceofetchingtimeontheperformanceofsolarcellswasinvestigated.Theperformanceofsolarcellswasmeasuredbyastandardsolarcelltester.Theresultsshowedthatthe
4、shuntresistance,opencircuitvoltage,fillfactorandefficiencyofthesolarcellswereimprovedaftertheionbeametchingontherearside,whilethechangesofseriesresistanceandshortcircuitcurrentwerenotobvious.Thesiliconwafersusedinthisexperimentwereclass.Afterthesiliconw
5、aferswereetched,themaximumefficiencyofsolarcellsbysinglesidediffusionreached15.99%,withanincreaseof0.69%thanthatfromsolarcellswithoutetching,whilethemaximumefficiencyofsolarcellsbydoublesidediffusionreached16.4%withanincreaseof0.68%thanthatfromsolarcel
6、lswithoutetching.Keywords:solarcells;ionbeametching;opencircuitvoltage;fillfactor;efficiencyEEACC:8420do:i10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.002*背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究11*2111杨超,沈鸿烈,吴京波,陈海力,江丰,李斌斌1.南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016;2.南京沙宁申科技开发有限公司,南京211300摘要:为
7、了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完SiNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响。采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能。发现背面经离子束刻蚀后,单面扩散和双面扩散电池片的并联电阻、开路电压、填充因子和转换效率都有所提高,而串联电阻和短路电流的变化则不是很明显。本实验采用的是类单晶硅片,单面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率达到15.99%,比不刻蚀样品增加了0.69%;双面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率则达到16.4%,比不刻
8、蚀样品增加了0.68%。关键词:太阳电池;离子束刻蚀;开路电压;填充因子;转换效率中图分类号:TM914.4文献标识码:A文章编号:1005-9490(2011)02-0125-04太阳能电池产生的电能中,有一部分因电池内并联电阻对电池的电性能影响很大,在电池制作过[2-3]部漏电而损失。对于单晶硅和多晶硅电池,形成漏程中,总是希望Rsh能够尽可能大。本文以减少电的主要原因有:由于结区存在晶体缺陷和外来杂太