位错对陶瓷材料性能的影响

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划位错对陶瓷材料性能的影响　　理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。其中晶体缺陷包括3种：点缺陷、线缺陷和面缺陷。　　位错是典型的线位错，有刃型位错、螺旋位错。晶体中沿某一条线附近的原子排列偏离了理想的

2、晶体点阵结构，从而在一维方向上构成一定尺度的结构缺陷。这种缺陷只在一个方向上延伸，又称为一维缺陷。　　位错对半导体的影响有以下四方面：　　1.位错可起一定的施主和受主作用：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　Si、Ge中的60o棱位错存在有一串悬挂键,可以接受电子而成为一串负电中心,起受主作用，也可以失去电子而成为一串正电中心,起施主作用；

3、这些受主或施主串形成的能级实际上组成一个一维的很窄的能带。不过,单纯的位错即使浓度达到105/cm2,它所提供的载流子浓度也只是约1012/cm3，故对半导体的导电性能的影响实际上不大；但是,当位错密度较高时,它将对n-型半导体中的施主有补偿作用,使电子浓度降低。　　注解：　　60o棱位错：半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度棱位错。因为在(111)晶面内，位错线的方向是方向，该方向与晶面滑移方向互相构成60度的夹角，故有60度棱位错之称。　　悬挂键：一般晶体因晶格在表面处突然终止，　　在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子

4、，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。　　位错密度：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米　　2.位错是散射载流子的中心：　　位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外，位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响迁移率;不过在位错密度位错对陶瓷材料性能的影响)离子半径是与Ti4+离子半径相近的，如Nb5+=，Sb5+=，它们容易替代Ti4+离子；或者使用三价元素，如La3+=+=，Nd3+=，它们接近于Ba2+离子的半径，因而易于替代Ba2+离子。由此可知，不管使用三价元素还是五价元素掺杂，结果大都形成高价

5、离子取代，即形成n型半导体。　　位错对铁磁性的影响目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　只有过渡族元素的一部分或其部分化合物是铁磁性材料。物质的铁磁性要经过外磁场的磁化作用表现出来。能量极小原理要求磁性物质是由磁矩取向各异的磁畴构成。一般说来加工硬化降低磁场H的磁化作用，磁畴不可逆移动开始的磁场Ho(起始点的磁场强度)升高，而加工则使物质的饱

6、和磁化强度降低。　　四、　　总结　　最后，材料的微观晶体缺陷对材料的性能在材料的导热，电阻，光学，和机械性能，极大地影响材料的各种性能指标上影响很大，比如强度，塑性等。化学性能影响主要集中在材料表面性能上，比如杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模型，极大地加速材料的腐蚀，另外表面能量也会受到缺陷的极大影响，表面化学活性，化学能等等。不过其实正是有了缺陷金属材料才能有着我们需要的良好的使用性能，比如人工在半导体材料中进行掺杂，形成空穴，可以极大地提高半导体材料的性能。我们应该深入了解并且合理的利用缺陷，有效的提高材料某一方面的性能。　　谈陶

7、瓷显微组织与材料性能之间的关系　　陶瓷材料的物理性能在很大程度上取决于其显微结构，在某些情况下甚至是决定性的，掌握它们之间的内在关系可以有针对性地优化制备工艺，从而提高陶瓷的物理性能。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　陶瓷是多晶多相的材料，其显微组织包括：多晶相的种类，晶粒的大小、形态、取向和分布，位错、晶界的状况，玻璃相的形态和分布，气

8、孔的形态、大小、数量和分布，各种杂质、缺陷、裂纹存在的开式、大小、数量和分布，畴结构的状态和分布等。在显微镜下研究陶瓷材料的显微组织，找出其物相组成、组织、性能之间