介绍光刻材料

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划介绍光刻材料　　光刻工艺介绍　　一、定义与简介　　光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking,masking,或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最

2、终在晶圆上保留特征图形的部分。　　光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。　　二、光刻工艺流程介绍　　光刻与照相类似，其工艺流程也类似：　　实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安

3、全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　1)SubstratePretreatment即预处理，目的是改变晶圆表面的性质，使其能和光刻胶粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。　　2)Spincoat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄

4、膜的均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在XX～3000rpm。　　3)SoftBake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是在90℃的热板中完成。　　4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focusoffset)尤为重要

5、.　　5)PostExposureBake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步。在I-line　　光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　使侧壁平整竖直；而在DUV光刻机中这一步的目的则是起化学放大反应，DUV设备曝光时，光刻胶不会完全反应，只是产生部分反应生成少量

6、H+离子，而在这一步烘烤中H+离子起到类似催化剂的作用，使感光区光刻胶完全反应。这一步主要控制的也是温度与时间，而对于温度的均匀性要求也非常高，通常DUV的光阻要求热板内温度偏差小于℃。　　6)Develop即显影，就是把光刻胶光照后的可溶部分除去，留下想要的图形。光刻胶有正胶和负胶两种，正胶就是光照部分可溶于显影液，而负胶就是未光照部分可溶。一般来说正胶可以得到更高的分辨率，而负胶则更耐腐蚀。显影和清洗都在显影槽中完成，每一步的转速和时间都至为重要，对最后图形的均匀性和质量影响很大。　　有的光刻工艺在显影完成后

7、还有一步hardbake即硬烘来除去光刻胶在显影槽中清洗而残留的水分。而有的工艺流程中，在光刻下一工序前会有一道坚膜来除去水分，hardbake就可以不要了。　　7)显影完成后光刻工艺应该算基本完成，不过在将产品送到下一工序前我们还是需要验证确认光刻工艺质量，不合格的产品可以除去光刻胶来返工。显影后检查首先就是ADI,也就是在显微镜下检查晶圆表面有无异常。光刻中常见的问题有失焦(defocus),图形倒塌(peeling),异常颗粒(particle)，刮伤等等。　　8)CDmeasurement即线宽测量，目的

8、是检查光刻得到的线宽是不是符合设计的要求，同时要检查整片晶圆上线宽的均匀性。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　9)Overlay即套刻精度测量，现在IC部件都是很多层