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时间:2018-12-06
《冲刺28nm-FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、冲刺28nm/FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高 为争抢先进制程商机大饼,包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂,下半年均将扩大资本设备支出,持续扩充28奈米制程产能;与此同时,受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激,各大晶圆厂也不断加码技术投资,将驱动整体晶圆代工产业支出向上飙升。 2013年全球半导体产值将强劲反弹,一扫去年下滑的阴霾。其中,尤以晶圆代工厂扩大设备资本支出(CAPEX),加速推动先进制程,为拉升半导体产值挹注最大贡献。 由于今年全球经济状况相对去年乐观,且行动装置处理器业者转换至28
2、、20奈米(nm)先进制程的需求涌现;加上英特尔(Intel)、台积电、格罗方德冲刺28nm/FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高 为争抢先进制程商机大饼,包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂,下半年均将扩大资本设备支出,持续扩充28奈米制程产能;与此同时,受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激,各大晶圆厂也不断加码技术投资,将驱动整体晶圆代工产业支出向上飙升。 2013年全球半导体产值将强劲反弹,一扫去年下滑的阴霾。其中,尤以晶圆代工厂扩大设备资本支出(CAPEX),加速推动先进制程,为拉升半导体产值挹
3、注最大贡献。 由于今年全球经济状况相对去年乐观,且行动装置处理器业者转换至28、20奈米(nm)先进制程的需求涌现;加上英特尔(Intel)、台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)和联电等晶圆厂,均于今年提早部署16、14奈米鳍式电晶体(FinFET)技术,更将拉抬半导体设备、材料出货动能。 此外,动态随机存取记忆体(DRAM)市场供需趋于平衡,价格逐渐回升也是一大驱动力,预估2013年晶圆代工与记忆体产值皆将大幅成长,成为带动整体半导体产值回升的双引擎。 晶圆代工/DR
4、AM领军 半导体产值今年强弹 图1Gartner科技与服务厂商研究事业处副总裁王端认为,3DIC对半导体未来发展也至关重要,但还须1∼2年时间才能量产。 顾能(Gartner)科技与服务厂商研究事业处副总裁王端(图1)表示,去年半导体产业因大环境不佳,年产值跟着衰退2.7%;但是,今年初全球经济状况已呈现逐渐复苏迹象,且半导体业者的库存去化动作也将于第二季告一段落,可望重启备货计划,将促进晶圆代工产值于第三季爆发成长,全年则将缴出7.6%年增率的亮丽成绩单,进一步带动整体半导体产值达到3,121亿美元,较
5、去年反弹成长4.5%。 值此同时,一线晶圆厂正全力扩产28奈米(nm)产能,并加紧研发20奈米以下FinFET先进制程和18寸晶圆制造技术,也将刺激相关设备、材料需求高涨,足见今年半导体产业将显著回温。 不仅如此,去年沦为「惨」业的DRAM,今年开春价格一路走高,也将为半导体产业发展注入强心针。王端分析,由于近2年来记忆体制造厂均不再扩产,逐渐让市场供需恢复平衡,因此DRAM合约价格也开始回稳,让整个产业体质更健康。现阶段,DRAM供应量甚至有点赶不上市场需求,价格走势持续微幅上涨,预估今年记忆体产业将摆脱去
6、年负成长的窘况,产值飙涨12.3%。 展望2014年,王端强调,随着20奈米以下的FinFET制程开始投产,带动晶圆厂新一波扩产计划,以及IC设计业者的产品制程转换潮,更将促进半导体产值再飙升7.7%。其中,晶圆代工产业涨势最强,将达到9.1%的成长率,优于整体表现。 Intel/台积电带头冲 晶圆厂投资逐年暴增 由于先进制程研发所需经费庞大,晶圆厂未来持续加码投资已成定局。其中,英特尔与台积电为维持技术领先地位,花钱更是毫不手软。前者今年资本支出将上看127亿美元,年增率15.2%;而后者至少也将增加8.
7、4%,达到90亿美元,且观察其积极募资,以及加速16奈米设计定案(TapeOut)的动作,未来资本支出还有上调至100亿美元的空间。 至于其他晶圆大厂三星、格罗方德和联电也将28奈米以下制程、FinFET、18寸晶圆及超紫外光(EUV)微影等技术,视为未来发展重点,因此长期来看,全球晶圆代工产业总资本支出金额将继续向上攀升。 Gartner预测,2013年全球晶圆厂资本支出将从去年的160亿美元增加至170亿美元。王端分析,今年晶圆代工产业支出强势成长的主因系手机处理器制程正大举转换至28奈米,激励主要晶圆厂
8、扩大布局。目前除掌握大部分市占的台积电持续扩产,三星、格罗方德亦已进入少量供应阶段,可望于今年下半年逐步放量,而联电也将于第三季跟上28奈米量产进度。 此外,2014?2015年晶圆代工市场卡位前哨战亦已悄然开打。一哥台积电除规画在年底率先量产20奈米制程外,日前亦与安谋国际(ARM)成功实现16奈米FinFET设计定案(TapeOut),依进度可望在半年至1年半内投产
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