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时间:2018-12-04
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1、SoC追求高效低耗 连接与封装技术是关键 系统单芯片(SoC)把更大、更多的系统整合在同一颗晶粒上,而多晶粒(mulTI-die)整合挑战包括技术不足、主要制程不相容等等。不过,拜低成本多晶粒封装(packaging)、新式高速序列收发器(serialtransceiver)、甚至非电连接(non-electricalinterconnect)等技术之赐,可望协助多晶粒系统核心分区管理(parTITIoning)。 Altera网站指出,由于频宽限制、功率预算(powerbudget)放宽,架构设计人员
2、往往可突破新的效能、效率、以及密度组合。 首先,欲将系统分散至多重晶粒上,得先做好分区管理。子系统之间的连结频宽与延迟性需求,将决定系统的管理选项。因为一些较有效率的连接方式,具备较长的初始延迟、较高的频宽,所以将区块设计得愈能接受延迟作用愈好。 有些应用本身无法接受过长时间延迟,像是控制回圈(controlloop)当中若延迟更长,就可能会造成系统从临界阻尼(criTIcallydamped)状态变成不稳定,此时只能整合所有区块至回圈当中,或者花更多成本与功耗打造宽式平行化芯片间连接。 然而,在有些
3、系统应用当中延迟性不是问题,反而产能(throughput)才是关键。这类系统一般得执行处理长串资料,像是讯号处理、影像处理等等。这类电脑运算往往可导入管线化架构(pipelinedarchitecture),避免可预测的时间延迟。 在多数管线化架构当中,连接延迟只影响到输入、输出的延时,并不会影响到管线本身的频宽。也有许多情况下,演算法无法被轻易管线化,不过可以拆解为大量线程(thread)。 若有足够线程执行系统,则可透过线程之间的切换,处理极长、甚至无法预测的延迟。而多重线程的硬体支援程度,会限制
4、线程切换作业,这方面在现代CPU核心较为受限,而在GPU上较有发挥空间。 虽然采此法系统延迟可能较长,整体系统产能却会较高,且几乎与内部延迟问题独立开来。简言之,只要愿意增加时间延迟,就打开更多系统分区管理的可能。 除此之外,将芯片间的频宽最大化、延迟最小化的最好方法,就是将芯片之间的距离拉近。因此,愈来愈多厂商重视2.5D或3D封装技术。这些技术传统上不仅成本高且稳定性低,然而,现在多芯片封装技术已达成熟阶段,从高阶军用系统发展至主流、低成本应用。 最常受到讨论的2.5D/3D芯片封装技术是直通矽晶
5、穿孔(TSV)封装技术,TSV透过垂直导通整合晶圆堆叠,达到多芯片间互相连接,以更低成本提高系统整合度,而这仍属于较有技术挑战的高阶封装领域。 目前有二款TSV进入量产阶段,一是台积电的新型制程整合技术CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate),另一则是用于DRAM堆叠的混合存储器立方(HybridMemoryCube;HMC)与高频宽存储器(High-BandwidthMemory;HBM)。 这些TSV制程与设计都极为复杂,并不容易达成,不过回报很高,因为TSV能在堆叠晶粒间
6、植入大量连接,互连频宽高、晶粒间延迟性相对低,比打线技术(wirebonding)有效许多。 亦有设计人员致力找出新式方法,希望既拥有TSV的高密度与低阻抗,又没有TSV的复杂制程与良率问题。 英特尔专业代工(IntelCustomFoundry)研发的互连技术EMIB(embeddedmulti-dieinterconnectbridge),与CoWoS一样属于2.5D技术,不采TSV的特殊矽中介层(siliconinterposer),而是使用一般封装基层构造作互连架构。 对这些技术而言,设计流程
7、是极为重要的考量。晶粒间连接是系统的一部分,因此晶粒往往不能独立分开设计,而是在设计时就得精准的考量延时性与功率模组,甚至是温控、机械、电磁模组。 由于芯片间连接越少,封装与分析成本就越低,许多厂商也利用高速序列收发器,以很少的打线达到28Gbps这样的超高速资料传输速率。 印刷电路板(PCB)设计公司SpeedingEdge创办人LeeRitchey表示,2016年可能就会出现56Gbps的生产系统,而届时28Gbps就会变得稀松平常。Teraspeed研发顾问ScottMcMorrow甚至认为,理论
8、上传统IC封装可达到110Gbps速率。 不过,这些新序列连结得通过距离与电路复杂性的考验,先出现在芯片至模组(chip-to-module)连接,才会出现在电路板、连接器(connector)、背板(backplane)等较复杂的设计当中。 未来也有许多不同的整合可能性,可超越电路版限制,像是利用增层式(build-up)封装技术,在电路版上层添加一层电力或光学连结器,允许高速序列通道在独立的控制环境内运转
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