7nm后，这个技术将接替FinFET延续摩尔定律.doc

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1、7nm后，这个技术将接替FinFET延续摩尔定律　　比利时微电子（IMEC）在2016国际电子元件会议（IEEEInternaTIonalElectronDevicesMeeTIng;IEDM）中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极（GAA）金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFETs）的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体（GAANWFET）会雀屏中选。　　比利时微电子研究中心与全球许多

2、半导体大厂、系统大厂均为先进制程和创新技术的合作伙伴；其中，在CMOS先进逻辑微缩技术研究的关键伙伴包括有台积电、三星电子（SamsungElectronics）、高通（Qualcomm）、GlobalFoundries、美光（Micron）、英特尔（Intel）、SK海力士（SKHynix）、Sony、华为等。　　针对半导体7纳米以下制程，究竟谁可以接棒FinFET技术？比利时微电子研究中心表示，目前看起来环绕式闸极纳米线电晶体（GAANWFET）是最有可能成功突破7纳米以下FinFET制程的候选

3、人。　　比利时微电子进一步分析，因为GAANWFET拥有高静电掌控能力，可以实现CMOS微缩，在水平配置中，也是目前主流FinFET技术的自然延伸，可以通过垂直堆叠多条水平纳米线来最大化每个覆盖区的驱动电流。　　再者，比利时微电子研究中心也研究新的结构对于原来静电放电（ESD）表现的影响，且发表静电放电防护二极体，让GAA纳米MOSFETs的发展有突破，间接帮助鳍式场效电晶体（FinFET）持续往更先进制程技术发展。　　2016年比利时微电子研究中心展示了垂直堆叠、由直径8纳米的硅纳米线所制成的GA

4、AFET，这些电晶体的静电控制由n-FETs和p-FETs制作而成，具有n型和p型元件的相同临界电压，因为积体电路技术中的关键是双功函数金属闸极的使用，使得n-FET和p-FET的临界电压得以独立设置。　　且在该步骤中，P型功函数金属（PWFM）在所有元件中的沟槽式闸极使用，然后使用选择性蚀刻P型功函数金属到纳米结晶性铪氧化物（HfO2）到n-FET，随后利用N型功函数金属。　　另外，针对关键静电放电（ESD）影响，比利时微电子提出两种不同的静电放电防护二极管，分别为闸二极体和浅沟槽隔离（STI）二

5、极体。其中，STI二极体因为在二次崩溃电流（It2）与寄生电容的比率上表现较佳，所以认为是较好的静电放电防护元件。　　再者，测量和TCAD模拟也证明，与块状基板式鳍式电晶体（BulkFinFET）二极体相比，GAA纳米线二极体维持了静电放电的表现。　　比利时微电子研究中心的逻辑装置与积体电路总监DanMocuta表示，在GAA硅质CMOS技术、静电放电防护结果方面的积体电路技术，是实现7纳米或以下制程的重要成就。　　　　图１-（a）PWFM被n-FET蚀刻后的TopView扫描电子显微镜（SEM）影

6、像，和（b）p-FET和n-FET在制程结束后的穿透式电子显微镜（TEM）影像（LG=30nm）　　*〈搭载双功函数金属栅极的垂直堆栈环绕式栅极（GAA）硅纳米CMOS晶体管〉H.Mertens等，IEDM2016　　**〈以本体硅环绕式栅极垂直堆栈之水平纳米线技术中的静电放电二极管〉S.-H.Chen等，IEDM2016　　延伸阅读：台积电7nm制程新技术，速度提升4倍　　在12月3~7日于美国举行的IEEE国际电子元件会议上，台积电宣布以其最新版3DFinFET电晶体，可用于生产更新一代智能手机

7、及其他移动装置处理器的首个全新7纳米制程技术，借此正式加入全球7纳米制程技术竞争战场，并彰显其较英特尔更快的制程技术进展，显示晶圆代工厂。。.　　OFweek电子工程网讯据海外媒体报道，即使近年摩尔定律（Moore’sLaw）进展速度趋缓，但全球各家芯片制造商仍持续开发新一代制程技术。在12月3~7日于美国举行的IEEE国际电子元件会议（IEDM）上，台积电宣布以其最新版3DFinFET电晶体，可用于生产更新一代智能手机及其他移动装置处理器的首个全新7纳米制程技术，借此正式加入全球7纳米制程技术竞争

8、战场，并彰显其较英特尔（Intel）更快的制程技术进展，显示晶圆代工厂具备的技术优势。　　根据科技网站ZDNet及EETimes报导，台积电为了展示7纳米制程技术，在会议中介绍一款由7纳米制程生产的全功能256MBSRAM测试芯片，据称该芯片存储器细胞（MemoryCell）尺寸仅0.027平方微米，可提供相较于现有16纳米FinFET制程高达4成的性能速度提升，以及高达65%的功耗节省。　　台积电7纳米制程技术采用当前的193纳米浸润式微影技术（ImmersionL