血浆同型半胱氨酸和胱抑素c 在糖尿病周围神经病变中的作用

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1、血浆同型半胱氨酸和胱抑素C在糖尿病周围神经病变中的作用作者：陈福莲王文汇陈淼蒲迎董振华【摘要】目的探讨血浆同型半胱氨酸（HomocystEine，Hcy）和胱抑素C（CystatinC，CysC）与糖尿病周围神经病变（DPN）的关系。方法根据神经自觉症状和肌电图检查将103例2型糖尿病患者分为单纯糖尿病组（SDM组）、亚临床周围神经病变组（SDPN组）、周围神经病变组(DPN组)，并分别设30例正常对照组(NC组)与糖调节受损组（IGR组）。所有受试者量身高、体重、血压，测血浆Hcy与CysC浓度、血糖、糖化血红蛋白、血脂、肌酐、纤维蛋白原，比较各组间所测

2、指标的差异性，并分析Hcy与各指标的相关性。结果NC组、IGR组、SDM组、SDPN组、DPN组血浆Hcy浓度分别为：（6.00±1.43）μmol/L、（7.21±1.64）μmol/L、（8.21±2.40）μmol/L、（12.48±4.15）μmol/L、（13.51±5.80）μmol/L，SDM组、SDPN组、DPN组高于NC组、IGR组(P＜0.05)，NC组与IGR组、DPN组与SDPN组间无统计学差异。Pearson相关分析显示血浆Hcy与所测神经传导速度负相关（均P＜0.05），与神经反射潜伏期正相关（均P＜0.05）；与BMI、病程、

3、Cr、CysC、FIB呈正相关（P＜0.05或P＜0.01），控制BMI、病程、Cr、FIB后，CysC仍然与Hcy相关。结论血浆Hcy可作为DPN的预测因子，CysC可能与Hcy共同作用，加重DPN。【关键词】同型半胱氨酸；2型糖尿病；神经病变；胱抑素C糖尿病周围神经病变（DPN）和血管病变是发生足部皮肤溃疡，继发局部感染，产生糖尿病足，最终导致截肢而致残的主要因素。近年的研究显示，同型半胱氨酸（Hcy）损伤血管内皮细胞，促进血管平滑肌增生，提高血栓调节因子的表达，诱导脂质和糖蛋白沉积于血管壁，既是动脉硬化和冠心病的独立危险因素，也与糖尿病慢性并发症的发

4、生密切相关。有研究认为高水平血浆Hcy能引起氧化应激，损伤血管内皮细胞，影响神经髓鞘蛋白代谢，从而导致神经病变〔1〕；也有研究认为Hcy与动脉硬化关系密切，是引起大血管病变如心脑血管疾病的影响因素，与DPN无相关性〔2〕。胱抑素（Cys）C属于半胱氨酸蛋白酶抑制剂超家族的成员之一，是早期判断肾小球滤过功能损害的敏感指标，能反映缺血性心力衰竭等急性冠脉事件的预后〔3〕，参与Hcy的代谢过程。Hcy与CysC在DPN中的作用及相互关系目前少有报道。本研究通过检测DPN患者的Hcy水平，分析其影响因素以及与CysC、周围神经传导速度、神经反射潜伏期等的相关性，探

5、讨Hcy及CysC与DPN的关系和作用机制。　　1对象与方法　　1.1对象与分组选取2008年3月至2009年5月济南市中心医院内分泌科住院的2型糖尿病(T2DM)患者(按照1999年患者分为：单纯糖尿病组（SDM组）32例（男17，女15），无神经自觉症状，肌电图检查正常；亚临床DPN组（SDPN组）35例（男18，女17），无神经自觉症状，仅有肌电图参数异常；DNP组36例（男19，女17），既有神经自觉症状，又有肌电图参数异常。正常对照组（NC组）30例（男16，女14）；糖调节受损组（IGR组）30例（男17，女13），其中空腹血糖（FPG）受损（

6、IFG）13例，糖耐量受损（IGT）8例，IGT合并IFG9例；IGR组无高血压，冠心病，无烟酒等不良嗜好。排除标准：严重的肝、肾功能不全者；近3个月经常服用维生素B6、维生素B12、叶酸、二甲双胍等影响Hcy水平的药物；近3个月经常吸烟、饮酒、饮咖啡者；严重心脑血管疾病、周围血管疾病；影响神经传导速度的疾病和药物。所有纳入研究的糖尿病患者FPG＜8.0mmol/L、糖化血红蛋白（HbA1c）＜7%。　　1.2方法　　1.2.1神经症状描述通过神经症状评分（Neurologicalsymptomassessmentscore，NSS）对上下肢的四类神经症状

7、进行评分：麻木、感觉异常、刺痛、烧灼痛。根据症状发生频率（无、偶尔、经常、几乎持续）和严重程度（无、轻度、中度、重度）分别记为：正常（0分）、轻度异常（1分）、中度异常（2分）、重度异常（3分）。NSS最高得分为24分，分为轻（0～8分）、中(9～16分)、重（17～24分）3个等级。　　1.2.2肌电图测定使用丹麦DANTEC公司Keypoint型肌电图诱发电位仪，室温23℃下进行，用预热垫保持皮温在32℃～35℃，应用盘状表面电极和指环电极，由肌电图室专人测量，分别测定正中神经运动传导速度（MCV）、正中神经感觉传导速度（SCV）、正中神经F波潜伏期、

8、腓总神经MCV、腓肠神经SCV、胫神经H反射潜伏期。测定双侧取平均