第23章固体的量子理论-补充

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1、第二十三章固体的量了理论一、选择题1、(难度1)与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是(A)导带也是空带.(B)满带与导带重合.(C)满带屮总足奋空穴，导带屮总足有电子.(D)禁带宽度较窄.[D]2、(难度1)卜*述说法中，正确的是(A)木征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只冇一种载流了•(电了或空穴)参予导电，所以木征半导体导电怦能比杂质半导体好.(B)n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电.(C)n型半导体小杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级屮多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，

2、大大提高了半导体导电性能.(D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.[C]3、(难度I)如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于K述类型：(A)(1),(2)均为n型半导体.(B)(1)为n型半导体，(2)为p型半导体.(C)(1)为p型半导体，(2)为n型半导体.⑼(1),(2)均为p型半导体.[B:4、(难度1)p型半导体屮杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构屮;、V处于(A)满带中.(B)导带中.(C)禁带中，但接近满带顶.(D)禁带中，但接近导带底.[C]5、(难度1)n型半导体屮杂质原了•所形成的局部能级(

3、也称施主能级)，在能带结构屮俺处于(A)满带中.(B)导带中.(C)禁带中，但接近满带顶.(D)禁带中，供接近导带底.[D]6、(难度1)激发本征半导体中传导电子的儿种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元素掺杂，(4)用五价元素掺杂.对于纯铬和纯硅这类木征半导体，在上述方法中能激发芄传异电子的只有(A)⑴和⑵.(B)⑶和⑷.(C)(1)(2)利1(3).(D)(1)(2)和(4).[D]7、(难度1)附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度r=oK吋的能带结构图.其屮属于绝缘体的能带结构是(A)(1).(B)(2).(D)(3).[A]导带(空带)导带(空带)禁带禁带禁带⑴(2)

4、禁带(C)(1),(3).(A)(4).8、(难度1)硫化铺(CdS)晶体的禁带宽度为2.42eV,要使这种晶体产生木征光电导，入射到晶体上的光的波长不能人于(A)650nm.(1nm=10~9m)(B)628nm.(C)550nm.(D)514nm.[D](普朗克常量A=6.63X1034J•s,基本电荷e=1.60X1019C)9、(难度1)与半导体相比较，绝缘体能带结构的特点是(A)导带也足空带•(B)满带与导带重合.(C)满带中总是有空穴，导带中总是有电了.(D)禁带宽度较宽.[D]10、(难度1)附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度r=0K时的能带结构图.K•中属于半导体的能带

5、结构是(A)(1).(B)(2).(C)(1),⑶.(D)(3).(E)(4).导带(空带)导带A(未满)禁带导带(空带)禁带(2)空带导带(未满)禁带(4)11、(难度1)附图足导体、半导体、绝缘体在热力学温度T=0K吋的能带结构图.其屮属于导体的能带结构是(A)(1).(B)(2).(C)(3).(D)(4).导带（空带）导带1（未满）空带4导带（空带）导带（未满〉禁带禁带禁带(1)(2)(3)(4)二、填空题I、（难度1）如图是型半导体的能带结构图。A施主能级答案：n3、（难度1）纯浄锗吸收辐射的最人波长为2=1.9

6、im,锗的禁带宽度为eV。答案：0.654、（难度1）若在四价元素

7、半异体中掺入五价元素原子，则可构成型半异体。答案：n5、（难度1）若在四价元素半导体屮掺入三价元素原子，则可构成型半导体。答案：p6、（难度1）若在叫价元素半导体中掺入五价元素原子，则参与导电的多数载流子是答案：电子7、（难度1）若在四价元素半导体中掺入三价元素原子，则参与导电的多数载流子足答案：空穴8、（难度2）太阳能电池屮，本征半导体锗的禁带宽度足0.67eV,它能吸收的辐射的最人波长是X103nm。（普朗克常量Zz=6.63X1034J.s，1cV=1.60X1019J）答案：1.859、（难度1）本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长是XIO3nm.（普朗克

8、常量=6.63X1034J.s,1eV=1.60X1019J）答案：1.091（）、（难度1）己知T=0K时锗的禁带宽度为0.78eV,则锗能吸收的辐射的最长波长是pm.（普朗克常呆:/!=6.63X10'34J•s,1eV=1.60X1（）19J）答案：1.5911、（难度1）纯硅在7=0K时能吸收的辐射敁长的波长是1.09pm，故硅的禁带宽度为eV.（普朗克常暈/7=6.63X10"34J•s，1eV=1.60X10