真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究

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1、真空蒸镀钝化太安(PETN)薄膜的研究　　工业研究与应用真空蒸镀钝化太安，薄膜的研究王晓丽焦清介参围新北京理工大学爆炸灾害预防。控制国家重点实验室北京100081形成薄膜的影响。得出了适宜蒸镀的真空条件最佳蒸镀温度和蒸发速率；提出了，加薄膜和基片附着力的方法。关键词炸药薄膜真空度蒸发速率基片衣面状态中分类号阳024文献标识码，文章编号02539748XX04真肀蒸镀技术早作世纪初就产卞发城起来了，在金属和半导体材料等方面有着广泛的用途，而在炸构方面的运用。国内外报逍较少，闪此，真宁蒸锻技术用于炸构方匝的研宄几前沿忭和实用性1采用蒸镀由定比例，和钝感剂组成的混合物片面状

2、态条件下形成薄膜的实验研死确定了钝化，顶薄膜的最佳形成条件。　　1实验及结果实验仪器材料北京仪器厂生产的，3008型镀膜机；清华大学的德国03河950型扫描电子显微镜；炸药，整和钝感剂人或按摩尔比937组成的混合物。　　1.2实验结果1.2.1不同真空度下成膜实验结果蒸锻是在真空条件下进行的，在相同基源距4，条件下，随着真空度的提高，残余气体分子与被蒸发气体分子的碰撞减少了，易于形成薄膜且薄膜更加致密，其结果1.　　真空度Pa气流特点薄膜特点分子间碰撞多不易形成过渡区域疏松分子与器壁碰撞为主致密1.2.2不同蒸镀温度和蒸发速率下成膜实验结果把观顶和钝感剂人组成的混合物

3、放入蒸发源中，分别在不同的蒸镀温度和蒸发速率条件下蒸镀收稿日期XX09基金项目教育部博士点基金资助项目1999000704在涂胶基片上沉积的薄膜像Fig478反时发生爆炸。在高真空条件下，它的分解和爆炸温度会更低，所以。蒸镀温度不要过高，蒸发速率不要太快。但是在较低的蒸镀温度和蒸发速率条件下。使薄膜的结构粗糙且分散不均匀，1.　　适当提高蒸镀温度和蒸发速率，形成薄膜的颗粒纪I小结构致密，1化。通过实下转第286页混合物，把形成的薄膜用扫描电子显微镜进行分析。1中是在蒸镀温度为358368顶和钝感剂人的蒸发速率分别为15貌；1中，3是蒸镀温度为373378，顶和钝感剂4

4、的屈发速率分别在53.85.9125.，26.48，18条件下形成的薄膜形貌。　　1.2.3不同基片面状态成膜实验结果对于沉积钝化，薄膜用基片。在使前先清洗。待干燥后直接或涂胶后，分别用于沉积，和钝感剂8组成的混合物。所形成的钝化，顶薄jiv！SKMnmw2，2实验结果分析2.1真空度对形成薄膜的影响真空度的高低是影响薄膜质量的先决条件。真空度必须保证沉积物的蒸汽分子在从蒸发源到基片性能好纯度高的饨化爪薄膜，气体动力学及残余气体分子入射基片的速率个为及为气体普适常数为热力学温度；先是残余气体的分子1另疗面。基片上薄膜的沉枳率7个2可为以10.计算得出蒸镀钝化，薄膜的真

5、空度91021这马1的实验结果相致。　　2.2蒸镀温度和蒸发速率对形成薄膜的影响形成薄股的效果取决于蒸发速率。而蒸发速宰要靠调节加热蒸发源的温度来控制。3给出了陬讯和钝感剂的最大蒸发速宇和蒸发耻投1的系。　　50010005000100008时电子束着屏偏移的分布。　　2结论迎过利用人喂商软件油以，建15英寸显像管的有限元模型，然后进行热变型分析，得到了电子束因为温度升高而引起的着屏偏转位移。利用研究结渠。指导新型荫罩的设汁和新产品的开发。可以取以很好的效果。　　2.3基片面状态对薄膜的影响基片面状态对薄膜的结构质量有很大的影咐3用于沉积钝化，1薄膜的基片面应光滑洁作

6、，为了捉高基片与被蒸镀材料的附着力，还必要在洁净的基片上涂上层均匀的胶。不涂胶的基片面上形成的钝化平刊薄膜晶粒火小相差较多，附着力差，容易脱落，2.在基片面上均匀地涂上层与观顶和钝感剂附着力好的胶，有利于形成规则的晶粒，薄膜性质稳定，20.　　3结论化，傅膜较好蒸铍定量的，1刊和钝感剂按摩尔比为937组成的混合物，在蒸镀温度为373378，相应的，和钝感剂人蒸发速率分别为53.1钝化，仍，面状态较理想基片面涂胶可提高钝化，薄膜与基片之间的附着力，同时也提高了形成薄膜的质量。