真空蒸镀概述课件.ppt

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1、真空蒸镀表面工程技术真空蒸镀真空蒸发原理蒸发源的类型合金及化合物的蒸发膜厚的测量与监控2真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）在真空环境中，将材料加热并镀到基片上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜。真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。真空蒸镀中的金属镀层通常为铝膜，但其它金属也可通过蒸发沉积。3真空蒸镀原理4真空蒸发镀膜的三种基本过程：(1)热蒸发过程(2)气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。(3)蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、

2、形成连续薄膜。真空蒸镀的优缺点：优点：是设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高；薄膜的生长机理比较单纯。缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。5真空蒸发镀膜时保证真空条件的必要性：三个过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行，否则将发生以下情况：1.蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；2.蒸发源被加热氧化烧毁；3.由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。蒸发源的类型:关于蒸发源的形状可根据蒸发

3、材料的性质，结合考虑与蒸发源材料的湿润性，制作成不同的形式和选用不同的蒸发源物质。7常用的几种加热器形状丝状舟状坩埚一．点蒸发源通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源9二．小平面蒸发源1011蒸发源是蒸发装置的关键部件，大多金属材料都要求在1000～2000℃的高温下蒸发。因此，必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温度。最常用的加热方式有：电阻法、电子束法、高频法等。一、电阻蒸发源采用钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料，让电流通过，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入Al2O3、B

4、eO等坩埚中进行间接加热蒸发。二．电子束蒸发源将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。原理:基于电子在电场作用下，获得动能轰击到处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。13电子束蒸发源的结构型式14三．高频感应蒸发源将装有蒸发材料的坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失（对铁磁体），

5、致使蒸发材料升温，直至气化蒸发。15分馏现象当蒸发二元以上的合金及化合物时，蒸发材料在气化过程中，由于各成分的饱和蒸气压不同，使得其蒸发速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，这种现象称为分馏现象。采用真空蒸发法制作预定组成的合金薄膜，经常采用瞬时蒸发法、双蒸发源法及合金升华法等。合金及化合物的蒸发161．瞬时蒸发法17瞬间又称“闪烁”法。它是将细小的颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器或坩埚中，使一个一个的颗粒实现瞬间完全蒸发。如果颗粒尺寸很小，几乎能对任何成分进行同时蒸发，故瞬时蒸发法常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合

6、。优点：能获得成分均匀的薄膜，可以进行掺杂蒸发等。缺点：蒸发速率难于控制，且蒸发速率不能太快。182．多源蒸发法19二．化合物的蒸发化合物的蒸发法有三种：（1）电阻加热法；（2）反应蒸发法；（3）双源或多源蒸发法—三温度法和分子束外延法。反应蒸发法主要用于制备高熔点的绝缘介质薄膜，如Al2O3、SiC和硅化物等。而三温度法和分子外延法主要用于制作单晶半导体化合物薄膜20薄膜的性质和结构主要决定于薄膜的成核与生长过程，如淀积速率、粒子速度与角分布、粒子性质、衬底温度及真空度等。在气相沉积技术中为了监控薄膜的性能与生长过程，必须对淀积

7、参数进行有效的测量与监控。在所有沉积技术中，淀积速率和膜厚是最重要的薄膜淀积参数。显然，用于淀积速率测量的实时方法，对于时间的积分也能用于膜厚的测量，而非实时方法则只能测量膜厚。膜厚和淀积速率的测量与监控2、膜厚的测量方法介绍以下几种方法称重法：微量天平法、石英晶体振荡法电学方法：电阻法、电容法、电离式监控计法光学方法：光吸收法、光干涉法、等厚干涉条纹法触针法：差动变压器法、阻抗放大法、压电元件法称重法:微量天平法原理：是将微量天平设置在真空室内，把蒸镀的基片吊在天平横梁的一端，测出随薄膜的淀积而产生的天平倾斜，进而求出薄膜的积分

8、堆积量，然后换算为膜厚。如果，积分堆积量(质量)为m，蒸镀膜的密度为ρ，基片上的蒸镀面积为A，则膜厚可由下式确定(2)电学方法(a)电阻法原理：电阻值与电阻体的形状有关由于金属导电膜的阻值随膜厚的增加而下降，所以用电阻法可对金属膜的淀积厚度进行监控