磁控溅射及真空蒸镀制备的纳米氧化锌薄膜的光电性质研究

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时间:2019-05-16

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2、国际前沿课题中的热点之一。针对当前ZnO的研究工作的热点问题,本论文主要对氮掺杂ZnO多晶薄膜材料的光电性质和镶嵌在绝缘基质当中的纳米ZnO颗粒的结构和光学性质进行了研究,具体研究内容如下:(1)利用磁控溅射及后退火的方法制各出氮掺杂的ZnO薄膜材料,通过多种表征手段研究了氮的掺入对ZnO薄膜微结构、紫外发光和电学特性的影响。观察到由氮引起的局域拉曼振动模,以及束缚在中性受主上的激子的发光表明利用这种方法能够实现对ZnO的有效氮掺杂,并可以通过改变退火温度的方法调节znO:N薄膜中氮杂质的含量。(2

3、)通过共溅射的方法,制备了包埋有ZnO纳米颗粒的Si02薄膜材料。在800℃退火后得到了通常形成温度较高的Zn2Si04材料。并在700。C退火温度下形成Zn2Si04/ZnO纳米颗粒的核壳结构。Zn2Si04壳层的形成促进了ZnO纳米颗粒中的应力释放以及缺陷态密度的降低,从而提高了ZnO纳米颗粒的近带边紫外发光的效率。(3)利用共蒸发及后退火的方法制备了MgO包埋的ZnO纳米颗粒材料。研究结果表明MgO基质与ZnO之间形成的MgZnO合金层对ZnO纳米颗粒中的载流子起到限制作用,并且部分钝化了Zn

4、O纳米颗粒的表面缺陷。主要表现为ZnO纳米颗粒材料的带隙宽度随退火温度升高逐渐增大,紫外发光峰蓝移并且强度逐渐增强,而缺陷发光明显减弱。关键词:ZnO:N,磁控溅射,共蒸发,ZnO纳米颗粒,光致发光摘要/2004年AbstractZincoxide(ZnO)isallimportantII-V1widebandgap(Eg=3.37eV)semiconductorwitharelativelyhighexcitonbindingenergyof60meV.Sincetherealizationofs

5、timulatedemissionofZnOmulticrystalfilmsatroomtemperaturebyopticalpumpingin1997,researchesonZnOanditsrelatedmaterialshavebecomeoneofthemostpromisingandattractiveaspectsintheoptoelectronicregion.Inthisthesis,weinvestigatetheopticalandelectricalproperties

6、ofnitrogendopedZnOthinfilmsandZnOnarlo·particlesthatembeddedinthedielectricmateriallikeMgOandSi02.Thedetailsareasfollows:(1)NitrogendopedZnOthinfilmswerepreparedbyradiofrequency(I疆)magnetronsputteringandsubsequentthermalannealing.UsingX—raydiffraction.

7、X-rayphotoelectronspectroscopy,Ramanscattering,photoluminescence(PL)andHallmeasurements,theeffectsofnitrogenincorporationonthestructural,opticalandelectricalpropertiesofZnOthinfilmshavebeeninvestigated.Emissionsfromneutralacceptorsboundexcitonandtheloc

8、alvibrationmodesofNinZnOhadbeenobservedinPLspectra.TheresultssuggestedthatnitrogenhadbeendopedintoZnOeffectivelybythismethodandNconcentrationinZnOcouldbemodifiedbycontrollingtheannealingtemperatures.(2)ByCO—sputteringmethod,ZnOnano—part

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