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1、ZAO薄膜论文：射频反应磁控溅射制备ZAO薄膜及其光电性质研究【中文摘要】本文采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下生长了A1掺杂ZnO薄膜(ZAO)。研究了不同ZAO薄膜的晶体结构、表面形貌、电学以及光学性质,为开发ZAO薄膜在TCO材料领域的应用提供实验依据和理论指导。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,Al掺杂使薄膜平均粒径明显减小,尺寸分布均匀、致密,表面粗糙度降低；X射线衍射(XRD)结果显示,薄膜沿(002)晶面择优取向生长。当Ar/q流量比为1：1时,薄膜具有相对最好的结晶取向性,并显示沿薄膜
2、表面的压应力及沿C轴张应力。光电性质研究结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,并且导电性随Ar/O2比中O2含量增加而减小。薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar/O2比中为O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移。【英文摘要】Indifferentcondition,thepreparation,structureandopticalpropertiesofZAOfilmspreparedbyRF-m
3、agnetronsputteringwerestudied.Thestructuralcharacteristics,applicationdevelopmentofZAOfilmbyRF-magnetronsputteringandtheprincipleandcharacteristicsofMagnetronsputteringwereintroduced.Inourexperiments,weobservethepropertiesoftheZAOfilmsthroughchangingtheproc
4、essparametersoftheexperiments.Itisfoundedthattheorientationandthecrystallizationaremoreoutstandingwhentheparametersare200℃,90W,argonoxygenratio1:3.WhenZnOwasdopedbyaluminum,grainsizeofthefilmsbecomesmall,theconductivityofZAOfilmismorebetterthanthefilmswhich
5、isnotdopedbyAl.WemainlydiscussedtheopticalelectricalpropertiesoftheZAOfilms.Theinfluenceofargonoxygenratio,substratetemperature,sputteringtimeforZAOfilmwerediscussed.ThroughalotofexperimentsoftestingthenatureofZAOfilms,theexcellentpreparationparameterswered
6、etermined,andwegotbetterpropertiesfilms,andtheseprovidedthetheorybasisandthereferencevaluefortheapplicationofZAOfilmsinthematerialfieldofTCOfilms.【关键词】ZAO薄膜磁控溅射结构光电性质【英文关键词】ZAOfilmmagnetronsputteringopticalandelectricalpropertiesstructure【备注】索购全文请搜“中国学术发表网”
7、同时提供论文辅导写作和学术期刊论文发表服务。【目录】射频反应磁控溅射制备ZAO薄膜及其光电性质研究摘要5-6Abstract6第1章引言9-151.1综述9-101.2ZAO薄膜的结构特性10-121.3ZAO薄膜的应用研究进展12-141.3.1太阳能电池121.3.2节能视窗和热镜12-131.3.3低辐射玻璃131.3.4平板显示器131.3.5传感器131.3.6抗静电涂料131.3.7其他应用13-141.4本课题的研究内容及其意义14-15第2章射频反应磁控溅射法制备ZAO薄膜及其表征15-322
8、.1ZAO薄膜的制备方法综述15-212.1.1喷雾热解法15-172.1.2脉冲激光沉积17-182.1.3金属有机化学气相沉积18-192.1.4分子束外延法19-202.1.5溶胶—凝胶法(Sol-gel)20-212.2磁控溅射技术沉积ZAO薄膜的基本原理和特点21-232.2.1磁控溅射镀膜原理21-222.2.2磁控溅射镀膜特点22-232.3ZAO薄膜的制备23-242.4不同薄膜的表
