模拟集成电路设计期末试卷

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------模拟集成电路设计期末试卷《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值

2、____较小___（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。——————————————————————————————————————--------------------

3、----------------------------------------------------------------------------8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__CF（1－A）__。10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。二．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的

4、“局部衬底”叫做阱。2、亚阈值导电效应解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS<VTH时，ID也并非是无限小，而是与VGS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。3、沟道长度调制1解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L实际上是VDS的函数，这种效应称为沟道长度调制。4、等效跨导Gm解：对于某种具体的电路结构，定义?ID为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力?Vin5、米勒定理——————————————————————————————————————------

5、------------------------------------------------------------------------------------------解：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为米勒定理。6、N阱:解：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。7、有源电流镜解：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构

6、叫做有源电流镜。8、输出摆幅解:输出电压最大值与最小值之间的差。三．画图题（每题8分，共16分）1、以VDS作为参数画出NMOS晶体管的ID~VGS曲线。要求：（1）画三条曲线，VDS的值分别为VDS1、VDS2、VDS3，其中VDS1<VDS2<VDS3；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。（2）画两条曲线，VDS的值分别为VBS=0、VBS<0；标出曲线中关键转折点的坐标。解：（1）VGS?VTH,ID?0VTH?VGS?VTH?VDS,ID?1W?nCox(VGS?VTH)22L2VGS?VTH?VDS,ID??———

7、———————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------nCoxWL?(VGS?VTH)VDS?1VDS2?2(2)2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔID~ΔVin）。要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。解：其中，四．简答（（每题7分，共21分）），增大ISS或减小W/L，可使电路的线性更

8、好。1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这