模拟集成电路设计期末试卷

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1、《模拟集成电路设计原理》期末考试一．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定

2、电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__CF（1－A）__。10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比

3、）。二．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。2、亚阈值导电效应解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS

4、4、等效跨导Gm解：对于某种具体的电路结构，定义为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力5、米勒定理解：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为米勒定理。6、N阱:解：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。7、有源电流镜解：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。8、输

5、出摆幅解:输出电压最大值与最小值之间的差。三．画图题（每题8分，共16分）1、以VDS作为参数画出NMOS晶体管的ID~VGS曲线。要求：（1）画三条曲线，VDS的值分别为VDS1、VDS2、VDS3，其中VDS1

6、么措施可以使差动对的线性度更好。解：其中，，增大ISS或减小W/L，可使电路的线性更好。四．简答（（每题7分，共21分））1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？解：正确。当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流。2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？解：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当VB变得更负时，VTH增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。103、带

7、有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？解：由带有源极负反馈的共源极放大电路的等效跨导表达式得，若RS>>1/gm，则Gm≈1/RS，所以漏电流是输入电压的线性函数。所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。4.在传输电流为零的情况下，MOS器件也可能导通么？说明理由。解：可能。当时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流五．分析计算题（共34分）（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都

8、是有效值，单位均为微米。）1、（7分）假设λ=γ=0，计算图示电路的小信号增益（表达式）。解：2、（9分）差动电路如图所示，ISS=1mA，VDD=3V，(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。（1）假设γ=0，求差动电压增益；（2）γ=0.45V-1时，如果ISS上的压降至少为0.4V，求最小的允许输入共模电平。解：（1）ID=0.5mA，gmN=3.66×1