flash存储器中电荷泵的研究

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1、---------------------------------------------------------------------------------------------------Flash存储器中电荷泵的研究ｙ－０５２五５８学校代码：１０２４６学号：Ｔ０２２０２１０１２梗旦大学硕士学位论文（专业学位）院系（所）：信息科学与工程学院专业：电子与通信工程姓名：支日宇指导教师：童家榕教授完成日期：２００５年ｌＯ爿２２日Ｆｌａｓｈ存储器中电荷泵的研究ｙ９５２｛５移摘要随着９０ｎｔｏＣＭＯＳ工艺的不断成熟和完善，半导体存储器（闪存）产品的工作电压、

2、工作功耗和生产成本也随之快速降低。上世纪７０年代末提出的基于集成电路的电荷泵电路模型已不能满足实际器件操作时较低输入电压的要求，由此对电荷泵电路的研发设计提出了更高的要求。本文的撰写围绕着电荷泵电路性能的改进展开了深入地探讨。论文对现有半导体存储器中电荷泵电路进行了系统的阐述，在具体分析若干典型电路的基础上，同时结合自己的理解和在实际工作中的经验和体会，针对现有电路的不足之处提出了改进型电路模型，并———————————————————————————————————————————————----------------------------------

3、-----------------------------------------------------------------Flash存储器中电荷泵的研究ｙ－０５２五５８学校代码：１０２４６学号：Ｔ０２２０２１０１２梗旦大学硕士学位论文（专业学位）院系（所）：信息科学与工程学院专业：电子与通信工程姓名：支日宇指导教师：童家榕教授完成日期：２００５年ｌＯ爿２２日Ｆｌａｓｈ存储器中电荷泵的研究ｙ９５２｛５移摘要随着９０ｎｔｏＣＭＯＳ工艺的不断成熟和完善，半导体存储器（闪存）产品的工作电压、工作功耗和生产成本也随之快速降低。上世纪７０年代末提出的基于集成电路

4、的电荷泵电路模型已不能满足实际器件操作时较低输入电压的要求，由此对电荷泵电路的研发设计提出了更高的要求。本文的撰写围绕着电荷泵电路性能的改进展开了深入地探讨。论文对现有半导体存储器中电荷泵电路进行了系统的阐述，在具体分析若干典型电路的基础上，同时结合自己的理解和在实际工作中的经验和体会，针对现有电路的不足之处提出了改进型电路模型，并———————————————————————————————————————————————--------------------------------------------------------------------

5、-------------------------------阐述了该模型的优点，从而对促进电荷泵电路在半导体存储器中的应用和进一步实用化作出了相应的贡献。论文的创新点主要集中于以下三部分：?针对文献【２１中输出电压和级数成非线性关系的缺陷作出了分析，提出了相应的解决方案；●首次给出了电荷泵电路初始化的新型结构，以此保证电路的正常开启，并实现加快输出电压上升速度的功能；?从电荷泵电路基本模型的理论出发，结合半导体器件的物理特性，给出了电荷泵电路各器件参量的最优选择方案。关键词：电荷泵电路、电压倍增电路、四时钟驱动电路、体效应●●●●●ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅｃ

6、ｈａｒｇｅ－ｐｕｍｐｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｂｅｉｎｇａｐｐｌｉｅｄｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｔｈｅｈｉｇｈｅｒｖｏｌｔａｇｅｔｈａｎｔｈｅａｖａｉｌａｂｌｅｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ，ｈａｖｅａｖａｒｉｅｔｙｏｆａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅｆｌａｓｈｍｅｍｏｒｙ，ＥＥＰＲＯＭａｎｄＳＯｏｎ．Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｎｔｅｎｓｉｖｅｄｅｍａｎｄｆｏｒｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｃｏｍｉｎｇｆｒｏｍｔｈｅｐｈｙｓｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｕｃｈａｓｔｈｅｏｘｉｄｅｔｕｎｎｅｌｉｎｇ，ｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｄｐｕｍｐｅｄｖｏｌｔａｇｅｃａｎ’ｔｂｅｓｃａｌｅ

7、ｄａｓｔｈａｔｏｆｔｈｅｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇｐｏｗｅｒ－ｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒ———————————————————————————————————————————————---------------------------------------------------------------------------------------------------ｅ，ａｎｅｆｆｉｃｉｅｎｔｃｈａｒｇｅ－ｐｕｍｐｃｉｒｃｕｉｔｉｓｅｓｓｅｎｔｉａｌｔｏａｃｈｉｅｖｅｔｈｅｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｆｒｏｍｔｈｅａｖａｉｌａｂｌｅｌｏ

8、ｗｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ．Ｔｈｉｓａｒｔｉｃｌｅ