flash存储器总剂量效应研究

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1、代号10701学号1111122733分类号TN4密级公开题（中、英文）目Flash存储器总剂量效应研究ResearchonTotalIonizingDoseEffectofFlashMemory作者姓名罗敏涛指导教师姓名、职务刘毅教授学科门类工学学科、专业微电子学与固体电子学提交论文日期二○一四年一月万方数据万方数据西安电子科技大学学位论文创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其它人已经发表或撰写过的研

2、究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。本人签名：日期西安电子科技大学关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后，发表论文或使用论文（与学位论文相关）工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件，

3、允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。（保密的论文在解密后遵守此规定）本学位论文属于保密，在年解密后适用本授权书。本人签名：日期导师签名：日期__万方数据万方数据摘要摘要Flash存储器具有高速度、大容量、非易失性和高可靠性等特点，近年来已经逐步应用于航天电子系统中，空间中的各种高能粒子会对包括Flash的各种电子元器件造成严重的影响，引起各种辐射效应，总剂量效应是Flash存储器在空间应用中需要面对的最重要的问题之一，因此对Flash存储器的总剂量效应

4、研究具有十分重要的意义。本文从总剂量效应在MOS器件中的产生机理出发，首先分析了总剂量效应对MOS器件电参数和性能的影响。接着结合NOR型Flash存储器的内部各模块的电路结构和浮栅单元的工作原理研究其总剂量敏感单元和敏感参数，分析得出电荷泵和存储单元是NOR型Flash敏感单元的结论。在调研国内外辐射试验标准和相关文献的基础上，制订总剂量试验方案，开发设计出一套针对AM29LV160D芯片的总剂量效应试验系统。在总剂量试验中，动态偏置的芯片最先失效，芯片的擦除时间在试验中严重退化且编程功能总是先于擦除功能失效。试

5、验结果证明电荷泵是Flash存储器的总剂量试验中最敏感的单元，存储单元中辐射诱发的两种陷阱电荷的不同可能是导致芯片编程和擦除功能先后失效的重要原因，开启电荷泵的动态偏置是Flash存储器总剂量试验的最劣偏置。关键词：Flash存储器总剂量效应敏感性分析电荷泵动态偏置万方数据AbstractAbstractWiththefeatureofhigh-speed,high-capacity,non-volatileandhighreliability,Flashmemoryhasbeengraduallyusedinae

6、rospaceelectronicsystemsinrecentyears.Varietyofhigh-energyparticlesinspacewillcauseradiationeffectsonelectroniccomponents,includingFlashmemory.Totalionizingdose(TID)effectsisoneofthemostimportantproblemsforFlashmemoryinspaceapplications,soithasgreatsignificanc

7、etostudytheTIDeffectonFlashmemory.Atfirst,theimpactofTIDeffectsonMOSdevice’selectricalparametersandperformanceisanalyzedbystudythemechanismofTIDeffectsinMOSdevices.Then,combinedwiththecircuitstructureandworkingprinciple,thepaperstudythesensitiveunitsandsensiti

8、veparametersofNORFlashmemory,getthatthestorageunitandchargepumparesensitiveunitsinthiskindofcomponent.TheexperimentalschemeofTIDeffectonFlashMemoryisformulatedandaTIDexperimentsyst