大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究

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1、VoII2ONo.6航天器工程第2O卷第6期13OSPACECRAFTENGINEERING2O11年11月大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究张洪伟于庆奎张大宇孟猛唐民(中国空问技术研究院,北京摘要分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴一607射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器KgXXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示:这一系列存储器的累积电离总剂量为50krad(Si)时,器件部分数据丢失,重新配置刷新后,功能正常;在线性能量传递值小于38

2、MeV·em。/mg时,未发生单粒子锁定和功能中断现象。空间辐射环境采用AD~AMS90最坏情况模型,太阳同步轨道高度965km,存储单元单粒子翻转率计算值为2×1O次/(天·器件)。关键词航天器;Flash存储器;辐射效应;电离总剂量;单粒子效应中图分类号:TN406文献标志码:ADOI:10.3969/j.issn.1673—8748.2011.06.020文章编号:1673-8748(2011)06—013O—O5RadiationEffectTestonLargeCapacityFlashMemoriesZHANGHongweiYUQingkuiZHANGDa

3、yuMENGMengTANGMin(ChinaAcademyofSpaceTechnology,Beijing100094,China)Abstract:TheradiationeffectsandmechanismofhighlyscaledFlashmemoriesappliedinspace~craftareanalyzed.ThetotalionizingdoseandsingleeventeffecttestsofhighlyscaledFlashmemoriesK9XXG08UXAseriesofSamsungarecarriedoutattheCo一60

4、facilityandtheheavyionsacceleratortoevaluatethepossibilityofapplicationinspace.Theresultsshowthatapartofdataarelostatatotalionizingdoseofnearly50krad(Si)andthememoriesworkwellafterreset—ting,andnosingleeventlatchupandsingleeventfunctionalinterruptoccuresatlinearenergytransformationbelow

5、38MeV·em/mg.Thecalculatedvalueofsingleeventupsetrateofmemoryunitis2×10errors/(device·day)intheconditionofADAMSof90worstenvironmentandSS0altitudeof965km.Keywords:spacecraft;Flashmemory;radiationeffect;totalionizingdose;singleeventeffect1引言更多成本,另一方面可以提供更大容量的存储空间。目前,Flash存储器仍属于商用器件,应用于航天器F

6、lash高密度存储器以大容量、高速率、低功中还有许多技术问题需要解决,其中,空问环境中的耗、低质量的特点引领着商业电子的革命。随着航电离总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE)是影响天器性能要求的逐步提高,使用这种器件作为航天Flash存储器应用于航天器的主要问题之一。器数据采集的存储模块,一方面可以为航天器节省电离总剂量效应会造成器件漏电流增大、存储信息收稿日期:2011-05—23;修回日期:2O¨一O9~3O作者简介:张洪伟(1981一),男,工程师,从事航天器用元器件质量保证和工程应用工作。第6期张洪伟等:大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究丢失等,甚

7、至产生部分坏块口]。单粒子效应包括单K9F4G08UOA(4G)多层芯片组装工艺,见图2。粒子翻转(sEU)、单粒子锁定(SEI)和单粒子功能中断(SEFI)等¨3]。单粒子翻转会造成存储数据位发生翻转;单粒子锁定是破坏性的,若不及时切断电源,可能烧毁器件;单粒子功能中断会造成连续整页或整块存储数据出错]。美国国家航空航天局(NASA)和欧洲航天局(ESA)均对Flash器件进行了图18GFlash芯片表面形貌和侧面x光照片包括辐射试验在内的可靠性评估试验。NASA的Fig.1ExternalandX-rayphotoof8GFlashmemoryc

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