大容量串行flash存储器at45db041的原理与应用

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1、,峨魂弃熟自睡口卜一元器件应用大容量串行!∀存储器#∃%&∋()%∗的原理与应用+面‘‘奋裕认挤中硫林‘‘‘‘‘‘,‘‘+孙鹏。、#丁%&−(∋%∗(#∃./0!∀入芯片所有的指令地址和数据都是是公司推出的一款大容量高速串行存储器它。++++1&一2∋3或14一253,,高位在前采用单电源供电兼容678串行外设接口可以灵活的,=口9∋;)读操作与各种微处理器接使用时钟频率可高达.:其应用几乎不需任何外围,器件气电路开发简单,更由于其封装尺寸小、集成度高、电源电压低等优点,在通过使用正确的操作码可以从主商业和工业中得到了广泛的应用盯

2、%&−(∋%∗(典型应用在数字语音存储、图存储区或任意一个缓冲区中读取数据像存储、数据存储以及程序代码存储等场合。主存储区连续读主存储页允许用户直接读出任一,%;>2,,存储单元的内容此操作不经过缓冲脚片选信号低电平有效、;,,,。一#∃%&−()%∗(简介&脚卿户写保护信号低电平有区因此缓冲区内容不会改变主存储,,则主存储区前区连续读操作指令为≅∃<效若此脚为低1&5页操作码Φ∀或。,#∃%&−()%∗(共有%,21&245位不能被擦写编程,(日)后跟#%位地址和Α#位任意码,,≅存储单元,分为,如果不用此功能可直接将&脚接#%位地址包

3、括前%位为保留位∀Γ的1)%<页每一页存储。Η,,高电平留待集成度更高的芯片使用后跟州15%字节并且每<页构成一个块共;,。一Η。5脚?>>电源输入端位页地址∀>;?7>;7)最后Ι位是页1&5块主存储区支持页擦除和块擦除;,。一。。此外还集成有4脚≅Α∋电源地内地址∀∗;(∗;7)Α#位任意码值可操作两个6=#.缓冲;,。,区,。<脚&)串行数据输出端以随机设定发送它们只是为了初始化每个缓冲区有15%字节当主存储。,、区处于擦,读操作发送完Α#位任意码之后配写操作过程时缓冲区仍能、,。#∃%&−()%∗(合(−.端的时钟信号待读数据将依

4、够接收输入的数据#下%&∋(∋%∗日利二的操作。用串,次从0Χ端输出如果读到了整个主存口来访问其数据这种结构使得硬,,,储区的最后字节将自动跳回主存储区件设计方便系统可靠性增强并且把#∃%&∋日)%∗日的操作受主控制器,。,。。起始位置循环读取整个过程中朗开关噪声降到最低如图∗所示为发出的指令控制一条有效的指令起始。。,必须保持为低电平#丁%&∋(∋%∗(的内部结构于片选ΒΧ引信号的下降沿包括<位主存储区页读Δ0#6:./.∋=Ε#==#Ε此操作允许用户直接读取#Χ%<页中任何一页中的数据,格式与主存储7#≅任Β15%日Ε∃/6Φ,区连续

5、读相同操作码为0#日∀或7,%二ϑΦ)后跟#位地址和Α#位任意码主存储区页读与主存储区连续读日厂厂巨!∀#∃%日&∋任()∗++三日#∀#∃%日&∋,()≅的不同在于主存储区连续读操作中,当读到一(−.一书卜−(一/卜,9:795∋巨只+;−任页的最后一个字节时将继续读下一页1日匕0匕!一书卜。,2−−一3翻卜的第一个字节而在主存储区页读中4561,,一刁卜读到页尾时将自动跳回本页起始位1日7丫了自可夕8叫呀(Χ继续读本。页的第一个字节。;下%07∗7%=日具有多种封装形操作码和缓冲区或主存储区目的地址,、、,缓冲区读式如∋(7>−

6、;(75(7?−和−∗4;当Δ7时主机通过时钟信号(−.蕊此操作可以读取任意一个缓冲区。,等图#是其(7?−一<封装下的管脚的配合从引将操作码和目的地址送。,。中的数据指令格式为<位操作码后≅图其各管脚的定义与功能如下、≅,。跟巧位任意码Ι位地址码和<位任=脚(!串行数据输入端勺/#%=∃<80(7。,意码由于缓冲区为#∃%字节故需Ι≅,。#脚(−.串行时钟信号456。位地址Α≅日任Β匡∋,,2−−脚复位信号低电平有0%日6%,由于芯片内部有上电复位电路,不Ε操作码∀或Φ)对应缓冲区效>,。=而0∃∀或Χ∃日)对应缓冲区#。用时此管脚可直

7、接接高电平元器件应用一阅+向嘴劫吐趁目峨口。。1Φ写操作对应缓冲区1=∋ΕΗ日Λ6丫位以获取芯片状态在输,,缓冲区写2Φ其他操作入操作码并且输出=−ΕΗ白口勃位后数据能够通过!8端移入任意主存页读到缓冲区停止6>Ι的时钟信号,则日∋ΕΗ日习Μ?。;,&)输出,一个缓冲区格式为<位操作码此操作将主存页内的数据读到指位会持续在一旦芯片不再繁、,。,,;&)端∋跳变为∗后跟∗&位任意码Γ位地址码以及定缓冲区内主存页内容不变格式为忙会从表明芯片已。、Γ,。待写入数据位地址码表明待写<位操作码后跟%位保留位∗位地准备好接收下一条命令数据。当写到缓冲

8、Γ。主存储页读到缓冲区、主存储写入的起始地址址码和位任意码区结尾后仍有数据写入时,数据将操作码&2:对应缓冲∗,&&:页与缓冲区比较、区缓冲区写入主存从缓冲区起始字节依次写入。只要对应缓冲、区

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