flash存储器的使用方法

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1、M68HC08Flash存储器编程1编程方法M68HC08具有Flash存储器，它一般用作程序存储器，不能在运行时随时擦除、写入。许多单片机应用场合需要使用掉电不丢失内容的数据存储器，这一般用EEPROM实现。为节省成本，可使用M68HC08的Flash存储器作这种数据的存储器。由于擦除、写入Flash存储器的程序不能位于Flash存储器中，所以必须把该程序放于RAM或ROM中，这种程序应使用特殊的编程方法。一、一般MC68HC908的Flash存储器的在线擦除、编程方法MC68HC908具有Flash编程寄存器(FLCR)，它控制Flash存储器的擦除和编程。一般位0为PG

2、M位，编程时置位；位1为ERASE位，擦除时置位；位2为MASS位，用作数据存储器，不应使用(0)；位3位HVEN位，执行编程或擦除操作时置位，在FLCR不为零时不能读出Flash存储器(包括执行程序)。M68HC908还有Flash块保护寄存器，它对应于Flash保护区首地址的高位地址线。用户程序必须位于保护区内，而需改写的数据存储区应位于保护区外。注意：有的芯片的该寄存器采用Flash单元，有的采用RAM单元。后者在复位后应写入保护地址。M68HC908的Falsh擦除、编程方法见第二章，这里不再重复。二、GP32等Flash编程方法对于有较大RAM的M68HC908，如

3、GP32、SR12、MR32等，可采取以下编程方法：(1)在用户程序(Flash保护区)内编写、存放Flash的擦除和编程子程序。(2)在对Flash编程前，把擦除子程序从Flash拷贝至RAM中。(3)在对Flash编程前，把将擦除的Flash数据区的内容拷贝至RAM中。它的大小取决于所使用芯片型号，例如GP32擦除时一块大小为128字节。对需改写的单元，应在RAM中进行修改。(4)转至RAM执行控除Flash的子程序，执行完返回主程序(Flash中)。(5)把编程子程序从Flash拷贝至RAM中。(6)转至RAM执行编程子程序，完成把RAM中数据(包括新数据和不改写但已被

4、擦除的数据)写入Flash中。执行完返回主程序，即完成了一次编程操作。三、GP32等Flash的在线擦除、编程程序WBF1EQU$50；WorkingBuffer1WBF2EQU$51;WorkingBuffer2COUNTEQU$52;WriteCounter1~128WTMEEQU$53;WaitTime32MHz:24,16MHz:12TMPEQU$54DBUFEQU$100;DatatobewritentoFlashCBUFEQU$180FLCREQU$FE08FLSPREQU$FF7EFLSHEQU$8000FRGM：SEI；FlashmemoryPGMSubrou

5、tineCLRHCLRXPRGM1：LDAEFLASH，X；EraseFlashCode→RAM：CBUFSTACBUF，XINCXCPX#EFEND-EFLASHBLOPRGM1LDHX#FLSH；EraseAddressMOV#24，WTIME；32MHzJSRCBUF；ExecuteFlasheraseCLRXCLRHPRGM2：LDAWFLASH，X；WriteFlashCode→RAM：CBUFSTACBUF，XINCXCPX#EFLASH-WFLASHBLOPRGM2LDHX#FLSH；ProgrammingaddressMOV#24，WTIME；32MHzMOV

6、#128,COUNT；128BytesJSRCBUF；ExecuteFlashWriteRTSWFLASH：CLRWBF2；Entry:H:XFlashAddressLDACOUNTCMP#64BLSWFLSH0SUB$64STACOUNTLDA#64BRAWFLSH1WFLSH0：CLRAWFLSH1：PSHALDA#1；1→PGMSTAFLCRLDAFLSPR；ReadFlashProtectRegSTA,XBSRP1DL10LDA#9；1→HVENSTAFLCRBSRP1DL10WFLSH2：PSHHPSHXCLRHLDXWBF2LDADBUF,X；ReadDATAPU

7、LXPULHSTA,X；WritetoFlashBSRP1DL30AIX#1INCWBF2DBNZCOUNT,WFLSH2；Loop1Page(1—64Bytes)LDA#8STAFLCRBSRP1DL10LDA#0STAFLCRPULATSTABEQWFLSH3STACOUNT；SecondWriteBRAWFLSH0WFLSH3：RTSP1DL30：MOV#3，WBF1；Delay30sBRAP1DL1P1DL10：MOV#1，WBF1；Delay10sP1DL1：LDAWTIMEP1DL2：DBN