电解液对准分子电化学刻蚀硅的影响研究

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------电解液对准分子电化学刻蚀硅的影响研究第29卷第1期2009年2月应用激光V01.29,No.1February2009APPLJEDLASER龙芋宏1,史铁林2’3,熊良才2”,柳海鹏2(1桂林电子科技大学机电工程学院。广西桂林541004;2华中科技大学机械科学与工程学院,湖北武汉430074;3武汉光电国家实验室(筹),湖北武汉430074)提要激光电化学刻蚀是将激光加T技

2、术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀T艺。为了研究电解液对激光电化学刎蚀硅的影响,本文采用248nmKrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KoH溶液中的阳极半导体n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了化学溶液对激光电化学刻蚀Si的刻蚀表面形貌和刻蚀速率的影响,并对其产生的原因进行了分析。试验结果表明:化学溶液对刻蚀下艺的影响主要来源于不同浓度的溶液对激光的吸收和折射;采用吸收率较小、浓度较低的溶液和控制液膜厚度能有效减小溶液飞溅和溶液折射。本文中,溶液的厚度控制在1mm左右。关键词准分子激光;————————————————————

3、——————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------电化学;刻蚀;溶液中图分类号:TG665文献标识码:ATheStudyoftheSolutionEffectLongYuhon91,onLaser-inducedElectrochemicalEtchingofSiliconShiTielin2‘3,XiongLiangcai2“,LiuHaipen92(1SchoolofMechanical

4、&ElectricalEngineering,GuilinUniversityofElectronicTechnology,Guilin,C,uangxi541004,ofMechanicalScienceandEngineering,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan。China‘2SchoolHubei430074,China;3WuhanNationalLaboratoryforOpto-electro——————————————————————————————————————-------------

5、-----------------------------------------------------------------------------------nics,Wuhan,Hubei430074,China)Abstractprocess。isLaserelectrochemicaletchingprocess。whichacombineslaserdirectetchingprocessonandelectrochemicaletchingcompoundetchingpapertechnique.Inordertofurtherunderstan

6、dtheelectrolyteeffeetuseslaser-indueedelectrochemical——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------etchingsilicon。thisadopts248nmexcimerlaseraslightsourceandareK()Hsolutiononaselectrolyte.Theexperim

7、entsofmicromachiningsiliconbylaser-inducedelectrochemicaletchingeffectoncarriedout.Basedtheexperimentresults,thesolutionreasonstheetchingareappearancesandetchingratesinlaserelectrochemicaletchingsiliconisresearched.The——————————————————————————————————————----------------------------

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