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时间:2018-08-02
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1、目录集成电路工程领域《半导体器件物理》课程教学大纲1《微电子制造工艺》课程教学大纲2《模拟集成电路设计》课程教学大纲3《数字集成电路设计》课程教学大纲4《超大规模集成电路基础》课程教学大纲57《半导体器件物理》课程教学大纲课程名称(中文):半导体器件物理学分数:2课程名称(英文):SemiconductorDevices课内学时数:60上机时数:10课外学时数:60教学方式:授课及上机教学要求:使学生掌握微电子学中半导体器件基本原理、物理机制和特性,为进一步学习有关器件的专门知识以及IC设计打下必要的基础。课程主要内容:(字以内)双极晶体管(含异质结
2、双极晶体管)化合物半导体场效应晶体管MOSFET以及相关器件量子效应和热电子器件教材名称:现代半导体器件物理,施敏,科学出版社。主要参考书:半导体器件物理,施敏,电子工业出版社。预修课程:半导体物理适用专业:电子与通信7《微电子制造工艺》课程教学大纲课程名称(中文):微电子制造技术学分数:2课程名称(英文):MicroelectronicManufacturingTechnology课内学时数:32~40课外学时数:工艺实验教学方式:课堂授课教学要求:1.通过本课程的教学使学生对集成电路制造工艺、工艺原理有深入的理解;2.熟悉和了解集成电路制造的全过
3、程,包括硅片制造、硅片测试/拣选、装配和封装以及终测。课程主要内容:(字以内)本课程的主要内容是系统介绍集成电路的制造工艺及工艺原理,详细描述了集成电路制造的全过程,即硅片制造、硅片测试/拣选、装配和封装以及终测。配合大量精美的图片、图表及具体详实的数据。对立志从事微电子技术工作,而又未能体验集成电路制造过程的人来说,无疑是一位良师益友。通过本课程的学习可以为学生将来从事集成电路的设计和与微电子学相关的工作打下良好的基础。教材名称:韩郑生译《半导体制造技术》电子工业出版社,2004主要参考书:1、PeterVanZant《MicrochipFabri
4、cation》电子工业出版社,20042、曾莹译《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社,20053、黄汉尧主编:《半导体工艺原理》国防工业出版社,1980预修课程:固体物理,半导体物理适用专业:微电子学、电子科学与技术7《模拟集成电路设计》课程教学大纲课程名称(中文):模拟集成电路设计学分数:2课程名称(英文):DesignofAnalogIntegratedCircuits课内学时数:60上机时数:30课外学时数:60教学方式:授课及上机教学要求:通过对CMOS基本模拟电路和模拟系统的原理的学习,分析和掌握各种CMOS模拟电路,达到能够独立
5、设计运放、比较器和有关模拟系统的目的。课程主要内容:(字以内)MOS晶体管模型;CMOS放大器及差动放大器;运放和比较器;D/A和A/D转换器;开关电容滤波器;振荡器和锁相环;版图设计。教材名称:CMOS集成电路设计,西安交通大学出版社,陈贵灿,邵志标等。主要参考书:1、DesignofAnalogCMOSIntegratedCircuits,西安交通大学出版社。2、CMOS模拟电路设计(中译本),科学出版社。预修课程:1、数字和模拟电子学基础2、高级程序设计语言适用专业:微电子,信息与通信,计算机,自动控制,仪器和仪表。7《数字集成电路设计》课程教
6、学大纲课程名称(中文):数字集成电路设计学分数:3课程名称(英文):DesignofDigitalIntegratedCircuits课内学时数:60上机时数:30课外学时数:60教学方式:授课、上机教学要求:通过对数字电路及其系统原理的学习,能分析和掌握各种数字电路,达到以硬件描述语言(HDL)设计各种数字电路的目的。课程主要内容:(字以内)MOS晶体管工作原理及核比例缩小理论;静态逻辑门电路,信号传输延迟及功耗;动态逻辑电路和时序电路;VHDL语言;MOS存储器及微处理器系统。教材名称:CMOS集成电路设计(西安交通大学出版社),陈贵灿,邵志标等
7、,2000年。主要参考书:1、数字CMOSVLSI分析与设计基础(北京大学出版社,甘学温);2、WestN,EshraghianK.,PrinciplesofCMOSVLSIDesign—AsystemPerspective.2nd.ReadingMassachusetts:Addison—WesleyPublishingCompany,1993.预修课程:1、数字与模拟电子学基础2、高级程序设计语言适用专业:微电子,信息与通信,计算机,自动控制,仪器与仪表。7《超大规模集成电路基础》课程教学大纲课程名称:《超大规模集成电路基础》以超大规模集成电路(
8、VLSI)为表征的微电子技术是信息时代的关键技术之一。它是技术进步和经济发展的重要因素,作为计算机技术、自动
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