x-ray photoelectron spectroscopy (xps)

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1、第五章X-射线光电子能谱(X-rayPhotoelectronSpectroscopy(XPS)ESCA)一概述表面分析技术(SurfaceAnalysis)是对材料外层(theOuter-MostLayersofMaterials(<100))的研究的技术。包括:1电子谱学(ElectronSpectroscopies)X-射线光电子能谱XPS:X-rayPhotoelectronSpectroscopy俄歇能谱AES:AugerElectronSpectroscopy电子能量损失谱EELS:ElectronEnergyLossSpectro

2、scopy2离子谱学IonSpectroscopies二次离子质谱SIMS:SecondaryIonMassSpectrometry溅射中性质谱SNMS:SputteredNeutralMassSpectrometry离子扫描能谱ISS:IonScatteringSpectroscopy二XPS的概念XPS也叫ESCA(ElectronSpectroscopyforChemicalAnalysis),是研究表面成分的重要手段。原理是光电效应(photoelectriceffect)。1960’s由UniversityofUppsala,Swede

3、n的KaiSiegbahn等发展。EMPA中X射线穿透大,造成分析区太深。而由于电子穿透小,深层所产生的电子不出现干扰,所以可对表面几个原子层进行分析。(吸附、催化、镀膜、离子交换等领域)X-rayBeamX-raypenetrationdepth~1mm.Electronscanbeexcitedinthisentirevolume.X-rayexcitationarea~1x1cm2.ElectronsareemittedfromthisentireareaElectronsareextractedonlyfromanarrowsolidan

4、gle.1mm210nmConductionBandValenceBandL2,L3L1KFermiLevelFreeElectronLevel光:IncidentX-ray发射出的光电子EjectedPhotoelectron1s2s2p三光电效应(PhotoelectricProcess)1电磁波使内层电子激发,并逸出表面成为光电子,测量被激发的电子能量就得到XPS,不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s,2s,2p等)所产生的XPS不同。2被激发的电子能量可用下式表示:KE=hv-BE-spec式中hv=入射光子(X射线或UV)能量

5、h=Planckconstant(6.62x10-34Js),v-frequency(Hz)BE=电子键能或结合能、电离能(ElectronBindingEnergy)KE=电子动能(ElectronKineticEnergy)spec=谱学功函数或电子反冲能(SpectrometerWorkFunction)谱学功函数极小,可略去,得到KE=hv-BE:3元素不同,其特征的电子键能不同。测量电子动能KE,就得到对应每种元素的一系列BE-光电子能谱,就得到电子键能数据。4谱峰强度代表含量,谱峰位置的偏移代表价态与环境的变化-化学位移。1激发光源

6、——X射线(软X射线;MgKα:hv=1253.6eV;AlKα:hv=1486.6eV)或UV;2电子能量分析器-对应上述能量的分析器,只可能是表面分析;3高真空系统:超高真空腔室super-highvacuumchamber(UHV避免光电子与气体分子碰撞的干扰。四XPS的仪器InstrumentationforXPSXPS的仪器InstrumentationforXPSXPS的仪器InstrumentationforXPS钯的XPS(XPSspectrumobtainedfromaPdmetalsampleusingMg Karadiati

7、on);主峰在330,690,720,910and920eV。将KE转换为BE,得到下页图-注意坐标左右颠倒。1.价带(4d,5s)出现在0-8eV。24p、4s能级出现在54、88eV。3.335eV的最强峰由3d能级引起。43p和3s能级出现在534/561eV和673eV。5.其余峰非XPS峰,而是Auger电子峰。例:试作出在MgKa(hn=1253.6eV)作用下Na的XPS示意谱图,Na的能级分布如右图。解:由KE=hv-BE,KE1s=(1253.6-1072)=182eVKE2s=(1253.6-64)=1190eVKE2p=(1

8、253.6-31)=1223eV五俄歇电子能谱AES(AugerelectronSpectrocopy)光子作用下:K层电离;L层补充跃

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