ddr内存常用品牌颗粒识别

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1、DDR内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1.HY表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR内存3.工作电压V表示VDD=3.3V，VDDQ=2.5VU表示VDD=2.5V，VDDQ=2.5VW表示VDD=2.5V，VDDQ=1.8VS表示VDD=1.8V，VDDQ=1.8V4.容量和刷新设置64表示64Mb、4K刷新66表示64Mb、2K刷新28表示128Mb、4K刷新56表示256Mb、8K刷新57表示256Mb、4K刷新12表示512Mb、8K刷新1G表示1G

2、b、8K刷新5.颗粒位宽4表示X48表示X816表示X1632表示X326.表示逻辑BANK数量1表示2bankS2表示4BANKS3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL＿32表示SSTL＿23表示SSTL＿188.颗粒版本“空白”表示第一代生产A表示第二代B表示第三代C表示第四代9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗L表示大众商用型、低能耗10.封装形式T表示TSOPQ表示LQFPF表示FBGAFC表示FBGA（UTC：8X13mm）11.表示堆叠封装“空白”表示普通S表示HynixK表示M&TJ

3、表示其他M表示MCP（Hynix）MU表示MCP（UTC）12.封装材料空白表示普通材料P表示铅H表示卤素R表示铅和卤素13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3）D3表示DDR400（3-4-4）J表示DDR333M表示DDR266（2-2-2）K表示DDR266AH表示DDR226BL表示DDR20014.工作需求温度I表示工业常温40-85度E扩展温度零下25-85三星DDR内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K表示内存2.内存类别4表示DRAM3.内存子类别H表示DDRT表示DDR24-5.代表容

4、量28表示128Mb56表示256Mb51表示512Mb1G表示1Gb2G表示2Gb6-7.表示位宽04表示X432表示X3206表示X4Stack07表示X8Stack16表示X168.表示BANK数量3表示4BANK4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL＿2工作电压2.5VQ表示接口类型SSTL工作电压1.8V10.产品版本M1代A2代B3代C4代D5代E6代F7代G8代H9代生产11.封装类型T表示TSOP2S表示sTSOP2G表示FBGAU表示TSOP2（LEADFREE）Z表示

5、FBGA（LEADFREE）12.工作温度、能耗C大众商用型能、普通能耗工作温度0-70L大众商用型能、低通能耗0-70I工业型、普通能耗40-8513-14.频率延迟CCDDR4003-3-3C4DDR4003-4-4C5DDR4663-4-4B3DDR3332.5-3-3AADDR2662-2-2A2DDR2662-3-3BODDR2662.5-3-315-17.OEM时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HYB表示英飞凌内存（与海力士有区别注意）2.工作电压39表示3.3V25表

6、示2.5V18表示1.8V3.内存类型S表示SDRD表示DDRT表示DDR24.容量略5.产品结构40表示X480表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7.版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型CFBGA（含铅）TTSOP400mil（含铅）ETSOP400mil（无铅无卤）FFBGA（无铅无卤）G堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L低能耗10.颗粒性能5DDR400B3-3-36DDR3332.5-3-37DDR266A2-3-37FDDR2662

7、-2-27.5DDR266B2.5-3-38DDR2002-2-2