内存颗粒识别.doc

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1、内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的

2、可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按

3、16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。编码规则：K4XXXXXXXX-XXXX主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新

4、速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数（代宽），08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位－－连线“-”，没有实际意义。第12、13位――为速度标志。第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(

5、66MHz)。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。          图1三星颗粒（左边为采用TSOP封装DDR颗粒，右边为采用TSOP封装的SD颗粒）图3采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒Hynix(Hyundai)现代韩国现代公司的显存，应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的产品线也是很丰富的，在内存中，

6、现代HY是物美价廉的代表。现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HYXXXXXXXXXXXXXXXX1234567891011121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；128=128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef5、代表芯片输出的数

7、据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1:SSTL_3、2:SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ