低阻czt薄膜的制备.docx

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1、密级公开学号101566毕业设计（论文）低阻CdZnTe薄膜的制备院（系、部）：材料科学与工程姓名：王浩生年级：材101专业：材料科学与工程指导教师：曾冬梅教师职称：讲师2014年06月06日·北京北京石油化工学院毕业设计（论文）任务书学院（系、部）材料科学与工程专业材料科学与工程班级材101学生姓名王浩生指导教师/职称曾冬梅/讲师1.毕业设计（论文）题目低阻CdZnTe薄膜的制备2.任务起止日期：2014年2月17日至2014年5月30日3.毕业设计（论文）的主要内容与要求（含课题简介、任务与要求、预期培养目标、原始数据及应提交

2、的成果）CdZnTe是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体，具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光谱相匹配等优点。因此，CdZnTe多晶薄膜被用来制备薄膜太阳能电池的被接触层。而当电子流过界面时，其电阻的高低决定着由此产生的功率损耗。因此，制备出具有低电阻的CdZnTe薄膜成为制备高转化率太阳能电池的关键。本课题利用磁控溅射和离子溅射制备薄膜。采用Cd0.96Zn0.04Te晶体靶，以物理气相沉积为理论，采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备CdZnTe薄膜。研究溅射功率，溅射时间，工作气压及衬底温度等工艺参数对薄膜性能的影响。利用XR

3、D、AFM、紫外分光光度计、吉时利半导体分析测试系统等测试对低阻CdZnTe薄膜的结构及物理性能进行分析。分析研究不同工艺参数队薄膜电阻率之间的影响，确定磁控溅射技术制备低阻CdZnTe薄膜的最佳工艺参数。通过本课题的研究，培养学生查询收集文献资料和外文翻译的能力，写出一篇论文综述，翻译一定数量的外文资料（20000个英文字符）；查阅中英文文献（20-40篇）。预期培养目标：通过一学期完成毕业设计论文的过程，得到一篇有学术价值的论文，以便今后应用于生产实际。最终提交材料：文献综述、外文资料的翻译文稿（含原文）、毕业论文。4.主要参

4、考文献[1]张育潜，查钢强，傅莉，等.CdZnTe单晶表面原子结构[J].人工晶体学报，2008,37（2）：289-292.[2]韦永林.碲锌镉探测器的制备及性能研究[D].成都：四川大学，2005.[3]MuraliKR.PropertiesofbrushplatedCdxZn1-xTethinfilms[J].SolarEnergy,2008,82:220-225.[4]SellinPJ.ThickfilmcompoundsemiconductorsforX-rayimagingapplications[J].Nuclear

5、InstrumentsandMethodsinPhysicsResearchA,2006,563:1-8.[5]查刚强.CdZnTe晶体的加工与表面质量控制[D].西安:西北工业大学,2004.[6]郝正同，谢泉,杨子义.磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究.贵州大学学报（自然科学版），2010年2月，27卷（第1期）：62-64[7]余东海,王成勇,成晓玲,等.磁控溅射镀膜技术的发展.真空VACUUM，2009年3月第2期（46卷）：19-20[8]周昊，CdZnTe薄膜制备与性能表征西北工业大学2010[9]Molva

6、E,ChamonalJP,PautratJL.ShallowacceptorsinCadmiumTelluride[J].PhysicaStatusSolidi,1982,109:635-644[10]刘恩科，朱秉升，罗晋升，半导体物理学，电子工业出版社，北京，20035.进度计划及指导安排1)2014.2.17-2014.2.28理论基础知识学习，准备开题报告，确定模拟方案。2)2014.3.03-2014.3.14纂写开题报告，进行开题报告。3)2014.3.17-2014.3.28购买实验材料，加工处理靶材，确定实验参数4)

7、2014.4.01-2014.5.09研究不同工艺参数CdZnTe薄膜的性能影响5)2014.5.12-2014.5.30纂写毕业论文。6)2014.5.30-2014.6.04准备答辩。任务书审定日期2014年2月17日系（教研室）主任（签字）任务书批准日期2014年2月18日教学院（系、部）院长（签字）任务书下达日期2014年2月19日指导教师（签字）计划完成任务日期2014年5月30日学生（签字）低阻CdZnTe薄膜的制备摘要CdZnTe是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体，具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光谱相匹配等

8、优点。因此，CdZnTe多晶薄膜可以用来制备CdS/CdZnTe薄膜太阳能电池。本论文以Cd0.96Zn0.04Te晶体为溅射靶材采用磁控溅射法在ITO玻璃上沉积低阻CdZnTe薄膜。利用原子力显微镜、XRD、紫外分光光度计和吉时利半导体分析测试系