欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:11040097
大小:47.21 KB
页数:6页
时间:2018-07-09
《低阻高透过率ito薄膜的制备与性能》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能王 刚 刘宏宇 赵 超 杨柏梁 黄锡珉摘 要 研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ITO薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150~200Ω/□之间,并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容。关键词 直流磁控溅射 衬底温度 溅射功率 方块电阻 透过率 真空退火PreparationandCharacterizationofLowResis
2、tanceandHighTransmittanceITOFilmsWangGang,LiuHongyu,ZhaoChao,YangBailiang,HuangXimin(ChangchunInstituteofPhysics,ChineseAcademyofSciences,Changchun130021)(NorthLiquidCrystalEngineeringResearchandDevelopmentCenter,Changchun130021)(*DepartmentofElectricalEngineering,Ji
3、linUniversity,Changchun,130021)Abstract:Inthispaper,theopticalandelectricalpropertiesofITOfilmspreparedbyreactiveD.C.magnetronsputteringdependentonvarioussputteringtechnologyparametersareinvestigated.Theinfluenceontheoptical-electricalpropertiesofITOfilmsdependentonv
4、ariousoxygenpartialpressuresundervacuumannealedcircumstanceisalsoreported.WeobtainedhighqualityITOfilmswithappropriatesheetresistanceof150~200Ω/□(d=100nm)andtransmittanceofover85%whicharesatisfiedforAMLCDapplicationatlowsubstratetemperatureandlowsputteringpowercompat
5、iblewithTFTdevicespreparationtechnologyinAMLCDapplication.Keywords:D.C.magnetronsputtering substratetemperature sputteringpower sheetresistance transmittance vacuumannealing1 引言 锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜是一种n型半导体材料,它具有较宽的带隙(3.5~4.3eV),较高的载流子密度(1021cm-3)[1~4]。另外,ITO薄膜还具有许多其它优异的物理
6、、化学性能,例如高的可见光透过率和电导率,与大部分衬底具有良好的附着性,较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因此,ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中,如LCDs、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs。 ITO薄膜的制备方法很多,常见的有喷涂法[1]、真空蒸发[2]、化学气相淀积[5、6]、反应离子注入[7]以及磁控溅射[8]等。在这些方法中,溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜,而被广泛应用于显示器件中ITO薄膜的制备[9~14]。溅射法制备ITO薄膜主要是利用直流(D.C.)[4,9]和射
7、频(R.F.)[8,11,12]电源在Ar-O2混合气体中产生等离子体,对In:Sn合金靶[4,9]或In2O3、SnO2氧化物靶或陶瓷靶[10~13]进行轰击,以便在各种衬底上获得ITO薄膜。当使用氧化物靶或陶瓷靶时也可以只在纯氩气中进行溅射。无论使用何种方法,制备工艺条件如靶中锡含量(靶浓度)、淀积速率、氧分压、衬底温度、溅射功率以及后退火处理都对ITO薄膜的光电特性有极大影响。优化这些工艺参数,可获得具有较高的电导率和可见光透过率的优质ITO薄膜。目前,在玻璃衬底上制备的ITO薄膜的电阻率和透过率分别可达到2×10-4Ω.
8、cm和90%以上[13]。 但在有源矩阵液晶显示(AMLCD)应用中,如图1所示作为TFT开关器件像素电极的ITO薄膜,一般淀积在许多薄膜材料之上,其中有源层a-Si:H材料的性能好坏对TFT器件的整体性能影响很大,因此为了避免在淀积ITO薄膜时对以上薄膜材料
此文档下载收益归作者所有