高考化学物质结构和性质专题突破6

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1、w.w.w.k.s.5.u.c.o.m江苏省高三化学物质结构和性质专题突破（6）一卷（客观题，共48分）一、选择题（只有一个选项符合条件，每小题3分，共24分）1．下列四种元素中，其单质的氧化性最强的是（）A．基态原子含有未成对电子最多的第二周期元素B．位于元素周期表中第三周期第ⅢA族的元素C．基态原子最外层电子排布为2s22p6的元素D．基态原子最外层电子排布为3s23p5的元素2．下列说法正确的是（）A．ⅠA族元素的金属性比ⅡA族元素的金属性强B．ⅥA族元素的氢化物中，稳定性最好的其沸点也最高C．同周期非金属氧化物对应的水化物的酸性从左到右

2、依次增强D．第三周期元素的离子半径从左到右逐渐减小3．氯化硼的熔点为—1070C，沸点为12.50C，在其分子中键角为1它能水解，有关叙述正确的是（）A．氯化硼液态时能导电而固态时不导电B．氯化硼中心原子采取sp杂化C．氯化硼分子呈正三角形D．氯化硼分子是由极性键构成的极性分子4．下列叙述正确的是（）A．离子晶体中一定含有活泼金属元素的离子B．原子晶体都是化合物C．固态不导电、水溶液能导电，这一性质能说明某晶体一定是离子晶体D．离子晶体一般具有较高的熔点5．下列说法正确的是（）A．分子间作用力越强，分子越稳定B．冰融化是水分子中共价键被破坏C．

3、原子晶体中共价键越强，其熔点越高D．氯化钠熔化时离子键未被破坏6．超临界流体是物质介于气态和液态之间的一种新的状态。目前应用最广的是超临界二氧化碳，在化学工业上可取代氟利昂等溶剂、发泡剂。下列有关超临界二氧化碳的说法中错误的是（）A．超临界二氧化碳是新合成的一种物质B．超临界二氧化碳由CO2分子构成C．用超临界二氧化碳溶解物质后，可在常温常压下使二氧化碳挥发除去D．用超临界二氧化碳代替氟利昂可减轻对臭氧层的破坏7．纳米材料的表面微粒数占微粒总数的比例极大，这是它有许多特殊性质的原因，假设某氯化钠纳米颗粒的大小和形状恰好与氯化钠晶胞的大小和形状相

4、同（如图所示），则这种纳米颗粒的表面微粒数占总微粒数的百分数为（）A．33.3%B．50%C．87.5%D．96.3%8．已知乙烯分子中碳原子以3个sp2杂化轨道与碳原子或氢原子形成σ键，两个碳原子上未参与杂化的p轨道形成π键。下列关于乙烯分子的叙述中正确的是（）A．乙烯分子2个碳原子或4个氢原子不可能在同一个平面内B．乙烯分子中键角约为109°28′，所有原子在同一个平面内C．乙烯分子中碳碳双键的键能比乙烷分子中碳碳单键的键能小D．乙烯比乙烷活泼，说明碳碳之间的π键比σ键键能小，易发生反应二、选择题（有一或二个选项符合条件，每小题4分，共24

5、分）XYZW9．X、Y、Z、W四种短周期元素在周期表的相对位置如右图所示，Y、Z质子数之和为21。下列说法正确的是（）A．常压下，四种元素的单质中，W单质的熔点最高B．X的气态氢化物比Y的气态氢化物稳定C．Z的阳离子与Y的阴离子电子层结构相同D．W元素的金属性比Z元素的金属性强10．有下列离子晶体空间结构示意图：●为阳离子，○为阴离子。以M代表阳离子，N代表阴离子，化学式为MN2的晶体结构为（）ABCD11．下列关于杂化轨道的叙述中，不正确的是（）A．分子中中心原子通过sp3杂化轨道成键时，该分子不一定为正四面体结构B．杂化轨道只用于形成σ键或

6、用于容纳未参与成键的孤对电子C．[Cu(NH3)4]2＋和CH4两个分子中中心原子Cu和C都是通过sp3杂化轨道成键D．杂化轨道理论与VSEPR模型分析分子的空间构型结果常常相互矛盾12．已知在晶体中仍保持一定几何形状的最小单位称为晶胞。干冰晶胞是一个面心立方体，在该晶体中每个顶角各有1个二氧化碳分子，每个面心各有一个二氧化碳分子。实验测得25℃时干冰晶体的晶胞边长为acm，其摩尔质量为Mg/mol，则该干冰晶体的密度为（单位：g/cm3）（　　）A．B．C．D．13．下列物质性质的变化规律与分子间作用力有关的是（）A．HF、HCl、HBr、H

7、I的热稳定性依次减弱B．金刚石的硬度大于硅，其熔、沸点也高于硅C．NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔点依次降低D．F2、Cl2、Br2、I2的熔、沸点逐渐升高14．二氧化硅晶体是空间网状结构，如右图所示。关于二氧化硅晶体的下列说法中，不正确的是（）A．1molSiO2晶体中Si—O键为2molB．晶体中Si、O原子个数比为1：2C．晶体中Si、O原子最外电子层都满足8电子结构D．晶体中最小环上的原子数为8二卷（主观题，共72分）三、非选择题15．（12分）请完成下列各题：（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有

8、种。（2）第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN