最新直线与双曲线交点个数教学讲义ppt.ppt

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1、直线与双曲线交点个数XYO相交:两个交点相交:一个交点相切:一个交点相离:0个交点两个交点一个交点0个交点相交相切相交相离交点个数判断直线与双曲线位置关系的操作程序把直线方程代入双曲线方程得到一元一次方程得到一元二次方程直线与双曲线的渐近线平行相交（一个交点）计算判别式>0=0<0相交相切相离0=1双曲线的渐近线相离练习：判断下列直线与双曲线的位置关系相交(一个交点)相离相交（两个交点）相切例1.过点P(0,-1)与双曲线只有一个交点的直线共有_____条。变题:将点P(1,1)改为1.A(0,0)2.B(3,1)3.C(2,1)4.D(

2、2,2)结果又怎样?４0条2条3条4条已知直线L:y=ax+1双曲线C:a为何值时，一个交点?a为何值时，没有交点?a为何值时，两个交点?a为何值时，两点在双曲线的同一支上?a为何值时，两点在双曲线的两支上?课堂思考思考第二章氧化习题参考答案11主要公式(2.5)E为杂质在SiO2中的扩散激活能；D0为表观扩散系数。(2.8)xmin对应用作掩蔽的SiO2层的最小厚度；t为杂质在硅中达到扩散深度所需时间.x=0.44x0氧化层厚度x0与消耗掉的硅厚度x的关系(2.11a)12x02+Ax0=B（t+）(2.28)SiO2的生长厚度与时

3、间的关系式(2.29)(2.30)(2.31)(2.32)线性氧化规律(2.33)(2.34)抛物型氧化规律x02=B(t+)(2.35)13习题参考答案1.计算在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000Å的氧化层，参数从下表中查找。硅的氧化系数14按照表中数据，在920℃下，A=0.5um，B=0.203um2/h，将值代入式（2.31）得由式（2.32）得152.在某个双极工艺中，为了隔离晶体管，需要生长1μm厚度的场氧化层。由于考虑到杂质扩散和堆垛层错的形成，氧化必须在1050℃

4、下进行。如果工艺是在一个大气压下的湿氧气氛中进行，计算所需的氧化时间。假定抛物型氧化速率系数与氧化气压成正比，分别计算在5个和20个大气压下，氧化所需的时间。抛物速率常数表示为线性速率常数表示为16表中列出了（111）硅在总压强为1大气压下氧化动力学的速率常数的参量，对于（100）硅，相应值中所有C2值除以1.6817一个大气压，T=（1050+273）K，k=1.38*10-23,kT=0.114eV因x02+Ax0=B（t+）183.局部氧化是一种广泛用来提供IC芯片中器件之间横向隔离的工艺。在某些情况下，希望得到隔离具有比标准LO

5、COS提供的更为平坦的表面，所以在氧化工序前使用了硅刻蚀工艺，如图所示。对左边所示的结构，在氧化前刻去0.5um厚的硅，在1000℃H2O气氛中硅片必须氧化多长时间以便提供右图所示的等平面氧化硅？0.5umSi3N4SiO2(100)SiLOCOS氧化层Si3N4SiO2(100)Si19在热氧化期间生长1um的SiO2消耗0.44um的硅。因此，填满刻蚀槽中的生长氧化硅将消耗一额外厚度的硅，我们需要生长SiO2的总厚度由下式给出：Si3N4SiO2(100)Si0.5umy所以，我们需要生长总厚度为0.89um的SiO2。在1000℃H

6、2O气氛中，kT=0.1098eV，有：204.将一硅片氧化（x0=200nm），然后使用标准的光刻和刻蚀工艺技术去掉中心部位的SiO2，接着使用N+掺杂工序形成如下图所示的结构。下一步将此结构放在氧化炉中在900℃下H2O中氧化。氧化硅在N+区上生长要比在轻掺杂的衬底中快得多。假设B/A在N+区增加到4X。在N+区上生长着的氧化硅厚度会不会赶上其他氧化硅厚度呢？如果会，何时赶上，赶上时的厚度是多少？请使用D-G氧化动力学模型。PN+0.2um21T=（900+273）K，k=1.38*10-23,kT=0.1012eV在非N+区在N+区

7、22PN+0.2um原衬底面？？x1x2根据上图有23245.在硅片中刻蚀出1um宽的槽，槽的侧面都是（110）平面。进行斜角注入，对侧墙掺杂N+，所以线性速率增加到4倍。然后将结构在1100℃下的水汽中氧化。在氧化过程中什么时候槽被SiO2填满？假设氧化系数比近似为[(111:110:100)=(1.68:1.2:1.0)].1um（110）侧墙（100）衬底N+25T=（1100+273）K，k=1.38*10-23,kT=0.1184eV在非N+区(111)在N+区(110)在非N+区(110)261um（110）侧墙（100）衬底

8、N+x2x1276.简述常规热氧化法制备二氧化硅介质薄膜的动力学过程。答：硅片在含有氧化剂的高温热氧化过程中，氧化剂穿透初始氧化层向二氧化硅-硅的界面运动并与硅发生反应，其介质薄膜生长的动力学