第七章固体成像器件ppt课件.ppt

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时间:2020-09-26

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1、第七章固体成像器件CCD:(ChargeCoupledDevice)电荷耦合器件固体成像器件:不需要封装在真空玻璃壳内,不需要用靶来完成光电图像的转换,不需要有电子束扫描来完成图像信号的输出。固体成像器件本身就能完成光学图像转换、信息存储和按顺序输出(自扫描)视频电视信信号。固体成像器件SSPD:(SelfScannedPhotodiodArray)自扫描光电二极管列阵优点:体积小、重量轻、功耗低;耐冲击,可靠性高,寿命长无像元烧伤、扭曲,不受电磁场干扰SSPD的光谱响应范围从0.25~1.1μm,对红外线也敏感7.1电

2、荷耦合器件7.1.1电荷耦合器件的结构像元尺寸精度优于1μm,分辨率高可进行非接触位移测量基本上不保留残像(真空摄像管有15%~20%的残像视频信号与微机接口容易P型或N型硅衬底生长一层120~150nm的SiO2多个金属电极MOS7.1.2电荷耦合原理与电极结构1.电荷耦合原理1)MOS的平衡态P-SiSiO2电极b)耗尽状态c)反型状态a)平面状态U3P-SiU2P-SiU1P-Si2)MOS电容的非平衡态特性非稳定状态的深度耗尽-Use价带导带-Use价带导带稳定状态的反型层UGUsUs√UG10V10V2Vt22

3、)电荷的耦合10V2V2Vt14V10V2Vt32V10V2Vt42V4V10Vt52V2V10Vt6t1t2t3t4Ф1Ф2Ф3tttt5UUU三相时钟t62.CCD电极结构Ф2SiO2P-Si衬底Ф1tt0t1t2t3Ф1Ф2tФ2Ф1t0t1t2t32)二相CCD的电极结构3)除此之外还有四相时控制1)三相CCD的电极结构如前所述7.1.3电荷耦合器件的组成及其工作原理信号电荷的输入(光电转换)电荷转移信号输出CCD的组成:1.输入部分1)电注入2)光注入光电转换器件+CCD(电荷的转移)MOS电容光敏二极管光光敏

4、二极管光电转换光电导体肖特基势垒光电二极管转移栅N+PaФ1Ф2Ф3OG+P输出栅IG光栅N光敏元MOS电容光电转换N+PaФ1Ф2Ф3OG+P输出栅转移栅IG光栅光敏元光N+PaФ1Ф2Ф3OG+PIG光敏元2.信号的转移部分如前所述3.信号的输出部分(1)二极管输出机构(2)选通积分型输出机构NPФRUCVF1VF2CR1RLG2s+Ф1Ф2Ф3N+PaOG输出栅7.1.4*电荷转移沟道类型SCCD:表面沟道电荷耦合器件,电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面处,并沿界面传输BCCD:体内沟道或埋沟道电荷耦合器件,电荷

5、包存储在离半导体表面一定深度的体内,并在半导体内沿一定方向传输差别:(1)SCCD经BCCD的信号处理能力大一倍(2)BCCD的工作频率上限被大大提高(3)BCCD大大提高了转移效率(4)电荷的存储栅和转移栅刚好相反(5)SCCD信号电荷是少子,而BCCD信号电荷是多子SCCD制做工艺简单,信号处理容量大,很适合于运行速度要求不高的场合。BCCD噪声低,高传输效率,可用于低照度下7.2电荷耦合器件的分类线阵CCD面阵CCD7.2.1线阵CCD最简单的线阵CCD:不适合作摄像电极遮光拖影作为摄像用的器件,通常情况下光敏区和

6、转移区是分开的1)单边传输Ф1三相单边CCD输出12光栅CCDABCABCФ2转移栅Ф3光结构简单,但效率低2)双边传输Ф1输出124Ф1Ф2ФPФxCCDCCDABCABCФ2Фx3Ф3结构复杂,但效率高7.2.2面阵CCD1.FTCCD(帧转移型)IФ2IФ3IФ1SФ1SФ2SФ3RФ1RФ2RФ3输出摄像区(光敏区)暂存区(遮光区)2.ILTCCD(行间转移型)7.3*CCD摄像机分类可见光CCD红外CCDX射线CCD紫外CCD黑白CCD彩色CCD微光CCD7.3.1可见光CCD可见光CCD:黑白CCD、彩色CC

7、D、微光CCD1.彩色CCD分类:三片式、二片式、单片式三片式的式作原理:采用光学系统将入射光学图像分为红、绿、蓝三种顔色图像,然后投射到三片CCD上。2.微光CCD微光:泛指夜间或低照度下微弱的、甚至不能引起人眼视觉的光。两种类型增强型(ICCD)像增强器与CCD芯片耦合模式电子轰击模式(E-BCCD)时间延迟积分型CCD(TDICCD)三种模式1)像增强器与CCD芯片耦合模式灵敏度高达2000μA/lm光谱响应宽度达2.1μm暗电流低达10-16A/cm2可在无月光、无星光的条件下正常工作2)电子轰击模式易产生螺旋形

8、畸变易产生枕形畸变会有强的背景辐射3)TDICCD工作模式-----------通过加长光积分时间来增大信号7.3.2IRCCD-----用红外探测器阵列代替可见光CCD的光敏无部分,就构成焦平面红外阵列(IRCCD)常用敏感材料:PbS和PbSe阵列、PtSi阵列、InSb阵列HgCdTe阵列、GaAs/ALGaA

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