第七章半导体器件ppt课件.ppt

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1、电子技术第七章半导体器件模拟电路部分第七章半导体器件§7.1半导体二极管§7.2稳压二极管§7.4双极晶体管本章要求:一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和电流放大作用;二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线,理解主要参数的意义;三、会分析含有二极管的电路。第七章半导体器件学会用工程观点分析问题,就是根据实际情况,对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数

2、值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差,工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件,重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法,不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。1导体、半导体和绝缘体导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。第一节半导体二极管半导体的导电特性:(可做成温度敏感元件

3、,如热敏电阻)。掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。半导体可以分为本征半导体和杂质半导体光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强2本征半导体一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。有半导体构成的管件也称为晶体管。硅和锗的共价键结构共价键共

4、用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子二、本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴是载流子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成:1.自由电子移动产生的电流。2.空

5、穴移动产生的电流。3杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂质半导体的导电性能取决于杂质浓度。即:多子。多子:多数载流子。少子:少数载流子:P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体)。掺入三价元属。N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。掺入五价元属。+4+4+5+4多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么?N型半导体中电子是多子(多数载流子),空穴是少子。一、N型

6、半导体二、P型半导体+4+4+3+4空穴硼原子P型半导体中空穴是多子,电子是少子。1.在杂质半导体中多子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。2.在杂质半导体中少子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。3.当温度升高时,少子的数量(a.减少、b.不变、c.增多)。abc4.在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是,N型半导体中的电流主要是。(a.电子电流、b.空穴电流)ba1PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区

7、变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。----------------++++++++++++++++++++++++--------形成空间电荷区4PN结及半导体二极管PN结:内电场阻碍多子的运动1.PN结加正向电压(正向偏置)PN结变窄P接正、N接负外电场IF内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。PN结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。内电场PN------

8、------------+++++++++++++++++++–2PN结的单向导电性2.PN结加反向电压(反向偏置)外电场P接负、N接正内电场PN+++------+++++++++---------++++++---–+PN结变宽2.PN结加反向电压(反向偏置)外电场内电场被加强,少子的漂移加强,由于少子数量很少,形成很小的反向电流。IRP接负、N接正–+PN结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。内电场PN+++------+++++++++

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