第七章半导体器件ppt课件.ppt

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1、半导体分离器件包括二极管、三极管、场效应管等器件。4.1型号命名根据中华人民共和国国家标准——半导体器件命名方法（GB249-74），器件型号由五部分组成，各部分的意义如P18表1.10所示。但场效应管、特殊半导体器件、PIN管、复合管和激光器件只用后三部分表示。4.半导体分立器件1第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管

2、阻尼管光电器件开关管第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管(fa>3MHZ,Pc<1w)高频小功率管(fa>3MHZ,Pc<1w)低频大功率管(fa<3MH,Pc≥1w)高频大功率管(fa≥3MH,Pc≥1w)光电器件开关管IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件符合管PIN型管激光器件示例：（1）锗材料PNP型低频大功率三极管３AD50C规格号序号低频大功率管PNP型锗材料三极管示例：(2)硅材料NPN型高频小功率三极管3DG

3、201B规格号序号高频小功率管NPN型、硅材料三极管4.2半导体二极管二极管是一块P型半导体和一块N型半导体紧密地结合在一起而构成的。在它们的交界面上形成一个接口，这个接口就称作PN结。二极管的最大特点是单向导电性。其主要作用有：整流、稳压、检波、开关、光电转换等。4.2半导体二极管4.2.1晶体二极管的种类1）按制作材料分有锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管。2）按制作工艺的不同分为面接触性二极管和点接触型二极管。3）按用途的不同分为整流二极管、发光二极管、检波二极管、磁敏二极管、开关二极管、压敏二极管、阻尼二极管、温敏二极管、稳压二极管、变容二极管、光敏二极管、双基极二极管、肖特基二

4、极管、隧道二极管、恒流二极管、快恢复二极管、双向触发二极管、激光二极管等。4）按封装形式可分为玻璃封装二极管、塑料封装二极管、金属封装二极管。5）按二极管的工作频率分有高频二极管和低频二极管。6）按二极管功率大小分有大功率二极管、中功率二极管、小功率二极管。发光二极管阻尼二极管高频二极管金属封装整流二极管二极管在电路中的符号：4.2半导体二极管晶体二极管主要参数1）额定电流：指其正常连续工作时，能通过的最大正向电流值。在使用时电路的最大电流不能超过此值，否则二极管就会发热而烧毁。2）最高反向工作电压：指二极管正常工作时所能承受的最高反向电压值。3）最大反向电流：指二极管在最高反向工作电

5、压下，允许流过的反向电流。4）最高工作频率：指二极管在正常工作下的最高频率。5）正向电压降：二极管导通时，其二极管两端产生的正向电压降。此值越小越好。6）功率损耗：指二极管在正常工作时所消耗的功率。4.2.2二极管的检测1.检波二极管、整流二极管的检测(1)判断二极管的好坏：将万用表置于R×100挡，测量二极管的正、反向电阻值。其方法是：将表笔任意接二极管的正、负极，先读出一阻值，然后交换表笔再测一次，又测得一电阻值，其中阻值小的一次为正向电阻，阻值大的一次为反向电阻，对于正常的锗材料的二极管的正向电阻应为几百欧～千欧，反向电阻应为几百千欧以上。对于硅材料的二极管的正向阻值应为几千欧，

6、反向电阻接近∞。总之，不论何种材料的二极管，正、反向阻值相差越多表明二极管的性能越好，如果正、反向阻值相差不大，此二极管不宜选用。如果测得的正向电阻太大也表明二极管性能变差，若正向阻值为∞，表明二极管已经开路。若测得的反向电阻很小，甚至为零，说明二极管已击穿。4.2半导体二极管12检测检波二极管时应选用万用表的R×10或R×100、R×1K挡，不易用R×1或R×10K挡。因R×1挡电流较大，R×10K挡电压较高，两者都容易造成管子的损坏。二极管的正、负极检测4.2半导体二极管13(2)判断二极管的正、负极：将万用表置于R×1K挡或R×100挡，测二极管的电阻值，如果测得的阻值较小，表明

7、是正向电阻，此时黑表笔所接触的一端为二极管的正极，红表笔所接触的一端为负极。如所测得的阻值很大，则表明为反向电阻值，此时红表笔所接触的一端为正极，另一端为负极。4.2晶体二极管144.2.3桥堆1)全桥的种类2)全桥的主要参数3)全桥的内部电路4)全桥好坏的检测全桥内部电路与电路图形符号4.2晶体二极管15三极管由发射结、集电结和N型与P型半导体构成，有三个电极，即基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。对于PNP型三极管由两块P型和一块N型半