助烧体系对注射成形碳化硼陶瓷烧结性能的影响.pdf

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1、第l7卷第4期粉末冶金材料科学与工程2012年8月、,0I_17No.4MaterialsScienceandEngineeringofPowderMetallAug.2012助烧体系对注射成形碳化硼陶瓷烧结性能的影响王长瑞,卢振,张凯锋,王振龙(1.哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨1500012.哈尔滨工业大学机电工程学院,哈尔滨150001)摘要:采用粉末注射成形技术制备碳化硼陶瓷微结构零件,用SiC-A12O3一Y2O3和SiC.ZrO2两种助烧体系进行烧结。分析助烧体系(SiC—A12O3.Y2O3和

2、SiC.ZrO2)对零件的致密度、相组成、微观组织和断裂机制的影响。结果表明:添加助烧剂可有效提高碳化硼制品的烧结性能。采用SiC.A12O3.Y2O3助烧体系烧结的零件由B4C、SiC、B2YC2和YAG等4种相组成,随烧结温度升高,其致密度先增加后减小,在1950℃烧结时达到最大值,为97.1%。而采用SiC-ZrO2助烧体系时致密度随烧结温度升高而增加,在2240℃达到最大值,为95.1%,相组成为BC、SiC和ZrB2相。零件的断裂形式都以穿晶断裂为主,含有一定的沿晶断裂。关键词:粉末注射成形;碳化硼;微观组

3、织;烧结中图分类号:TQ174文献标识码:A文章编号:1673.0224(2012)4.451.06EffectofadditivesystemsonsinteringpropertiesofinjectionmoldedboroncarbideWANGChang—rui,LUZhen,ZHANGKai.feng,WANGZhen.1ong(1.SchoolofMaterialsScienceandEngineering,HarbinInstituteofTechnology,Harbin150001,China;2

4、.SchoolofMechanoelectronicsEngineering,HarbinInstituteofTechnology,Harbin150001,China)Abstract:Boroncarbidemicro—structuredproductswerefabricatedbypowderinjectionmoldingprocesscombiningwithpromotivesystem.Theefectsofpromofivesystems(SiC—A1203一Y2O3andSiC-Zr02)on

5、therelativedensities,phasecompositions,microstructuresandfracturemodeofsampleswereinvestigated.Theresultsshowthatsinteringpropertiesofboroncarbidepartscanbeimprovedgreatlybyusingpromotivesystems.SinteredsampleswithSiC—A1203一Y2O3promotivesystemconsistsofB4C,SiC,

6、BzYC2andYAGphaseandtherelativedensityofsamplesbeginstoincreaseandthendecreasewithincreasingsinteringtemperature,themaximumvalueisacquiredat1950℃,whichis97.1%.ThedensityofsampleswithSiC—ZrO2promotivesystemconsistentlyincreaseswithincreasingsinteringtemperature,t

7、hemaximumvalueof95.1%isobtainedaftersinteringat2240℃。andthephasecompositionsofsinteredsamplesareB4C,SiCandZrB2.Themainfacturemodeofbothsinteredsamplesistransgranularfracture,includingpartlyintergranularfracture.Keywords:powderinjectionmolding;boroncarbide;micro

8、structure;sintering碳化硼(B4c)陶瓷是1种具有优良的物理、化学和致密化,要得到较为致密的纯Bc块体材料需要在2力学性能的陶瓷材料,如低密度(2.52cm)、高硬度200℃以上进行热压烧结,但随烧结温度升高晶粒异(29.1GPa)、高熔点(2450℃)、优良的耐磨性等,并常长大。为了降低烧结温度,抑制烧结过程中晶粒长具有很好

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