助烧剂对sic多孔陶瓷性能的影响-1

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1、毕业设计(论文)____________________________________________________________________________________________2323毕业设计(论文)____________________________________________________________________________________________摘要本研究以碳化硅为主料,以羧甲基纤维素钠(CMC)为造孔剂,分别用SiO2-Y2O3-Al2O3和SiO2-高岭土作为助烧剂,制备了多孔碳化硅陶瓷,研究了

2、不同SiO2-Y2O3-Al2O3和SiO2-高岭土含量对多孔碳化硅材料结构和力学性能的影响。SiO2-Y2O3-Al2O3和SiO2-高岭土的含量影响碳化硅多孔陶瓷的气孔率、硬度及其抗折强度。本次实验采用了阿基米德法测量多孔陶瓷的气孔率,采用洛氏硬度仪测量了其硬度,采用万能材料试验机测量了其抗折强度。实验结果表明:以SiO2-Y2O3-Al2O3为助烧剂,且SiO2-Y2O3-Al2O3含量为20%时,所制备的碳化硅多孔陶瓷性能较以SiO2-高岭土为助烧剂时优越。以SiO2-Y2O3-Al2O3为助烧剂,在1500℃可以制备出性能较好的多孔碳化硅陶瓷。当S

3、iO2-Y2O3-Al2O3含量为20%时,所制备的碳化硅多孔陶瓷兼具有较大的气孔率和优良的力学性能,其开口气孔率为23.73%,硬度及抗折强度分别为62和15.47MPa,从断口可以看出气孔较多且分布均匀。关键词:碳化硅SiO2-Y2O3-Al2O3SiO2-高岭土多孔陶瓷2323毕业设计(论文)____________________________________________________________________________________________TitleEffectofSinteringAidsonthePropertie

4、sofPorousSiCCeramicsAbstractThisstudyusessiliconcarbideasmainmaterial,withcarboxymethylcellulose(CMC)asthepore-formingagent,respectively,withSiO2-Y2O3-Al2O3andSiO2-kaolinasthesinteringagent,preparationofporoussiliconcarbideceramics,studieddifferentSiO2-Y2O3-Al2O3andSiO2-kaolinconte

5、ntonthestructureandmechanicalpropertiesofporoussiliconcarbidematerialeffect.SiO2-Y2O3-Al2O3andSiO2-kaolincontentinfluencestomatalporousSiCceramicsrate,hardnessandbendingstrength.Inthisexperiment,theporosityofporousceramicsbymeasuringArchimedesrate,itshardnesswasmeasuredbyRockwellha

6、rdnesstester,thebendingstrengthwasmeasuredusingauniversaltestingmachine.Theexperimentalresultsshowthat:withSiO2-Y2O3-Al2O3assinteringaid,andthecontentofSiO2-Y2O3-Al2O3was20%,theperformancesofporousSiCceramicspreparedwithkaolinthanSiO2-kaolinassinteringaidsadvantages.TakingSiO2-Y2O3

7、-Al2O3assinteringaids,at1500℃canporoussiliconcarbideceramicswithgoodpropertieswasprepared.WhenthecontentofSiO2-Y2O3-Al2O3is20%,thepreparationofporousSiCceramicspreparedwithmechanicalpropertiesofhighporosityandexcellent,theopenporosityis23.73%,hardnessandbendingstrengthis62and15.47M

8、Parespectively,atthesameti

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