Array工艺原理及工程检查-清洗、 PR 概述课件.ppt

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1、InlinePR概述11.工艺篇内容：2.检查篇3.不良篇4.材料篇2PR工程功能：◎膜をＰａｔｔｅｒｎｉｎｇする為のＥｔｃｈｉｎｇＭａｓｋの形成Photolithography工程①Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ涂布②曝光③显影基板膜Ｅｔｃｈｉｎｇ剥离Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ3装置概要：SK-1100G装置概要图4InlinePRSK1100G由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。洗净：ExcimerUV→RB＋AAJet→直水Spray→A/k涂覆：除水干燥→Slit涂覆→Spin涂覆→减压干燥→端面清

2、洗→前烘显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K→后烘工艺流程介绍：51、洗净：流程与装置概要：6EUV洗净原理:1、洗净：7N2ExcimerLamp石英玻璃排气基板◆可调工艺参数：1、基板传送速度2、UV灯照度3、Chamber内排气压力EUV洗净:1、洗净：81、洗净：工艺参数控制：9EUV洗净:1、洗净：10Brush洗净:1、洗净：碱液RollBrush◆可调工艺参数：1、基板传送速度2、Brush压入量3、药液温度111、洗净：工艺参数控制：122流体洗净:1、

3、洗净：2流体◆可调工艺参数：1、干燥空气压力2、纯水压力13A/K干燥:1、洗净：干燥空气◆可调工艺参数：上下风刀的压力(但必须保持上下压差0.02MPa)14ＳｐｉｎHMDS涂覆光刻胶密着性提高利用Thinner把不要的光刻胶除去端面清洗Ｐｒｅｂａｋｅ挥发掉Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ中的溶剂成分排气减压干燥降低基板支持Ｐｉｎ痕Mura，提高EBR效果Slit2、涂布：流程与装置概要：15除水干燥：基板洗净经A/K干燥后，表面仍附有水分存在，为防止光刻胶涂覆前水分附着带来的影响产生，首先流入HP单元进

4、行干燥，经过加热干燥的基板，根据表面膜层的要求有选择地进行AP单元HMDS涂覆，以增加光刻胶与基板的密着性。2、涂布：16Slit涂覆:随着玻璃基板尺寸的增大，单纯SpinCoater方式很难在基板表层形成均一的光刻胶膜层，所以首先通过SlitCoater方式在基板表面涂覆一层光刻胶，然后再采用Spin方式对光刻胶膜厚进行调节。2、涂布：17Spin涂覆：Slit+Spin方式光刻胶经过Slit预涂后，表面并不均匀而且四周还留有空白，需要通过Spin进一步处理，以达到所需要求。通过调整Spin的旋

5、转速度与时间，可以控制光刻胶膜厚与均一性。2、涂布：18减压干燥：通过降低Chamber内空气压力（40Pa），使光刻胶中溶剂挥发出来，经过此步工艺的处理，能够降低Bake中带来的Pin痕Mura，提高后工序EBR效果。2、涂布：19端面清洗（EBR）：EBR采用4个ScanNozzle，利用Thinner液分别对基板相应边端面、背面、以及表面边缘进行物理性溶解，最终以气体方式排放处理。对于干燥性较差的溶剂，辅助以N2Blow增加气化程度，提高洗净效果。经EBR处理的基板不易污染机械手以及后面工序

6、，降低了整个InlinePR工序缺陷的产生几率。RinseN2排气0.5mm0.5mmGlasst=0.7mm2、涂布：20前烘（Softbake）：光刻胶由树脂、感光剂、溶剂、添加剂组成，在曝光工程前需要进行前烘挥发溶剂处理，以提高曝光后线条分辨率。前烘的主要目的是去除胶中的大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。胶在显影剂中溶解速率将极大地依赖于最终光刻胶中的溶剂浓度。通常，前烘时间越短或温度越低会使胶在显影液中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度降低。一般温度约为120摄氏度，根据具体工艺要求与光刻

7、胶自身性质不同，其前烘温度也不尽相同。2、涂布：212、涂布：工艺参数控制：223、显影：流程与装置概要：◎Ｐｕｄｄｌｅ形成→显影→显影液回收→Ｒｉｎｓｅ→干燥→ＰｏｓｔｂａｋｅＰｕｄｄｌｅ形成基板进行显影液回收基板傾斜基板进行显影干燥：ＡｉｒＫｎｉｆｅ基板进行Ｒｉｎｓｅ基板进行Ｐｏｓｔｂａｋｅ目的：Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ再烧着→密着性向上耐ＤｒｙＥｔｃｈｉｎｇ性向上条件：１４５℃×１７０ｓｅｃ程度ＧＴＭＰｒｏｃｅｓｓ１００℃×１７０ｓｅｃ程度23树脂樹脂＋感光剤樹脂＋ｲﾝﾃﾞﾝｶﾙﾎﾞﾝ酸快慢显

8、影速度显影（溶解）速度差非感光部感光部Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ反应原理3、显影：显影原理：24＊显影液：TMAH２．３８％（Tｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｌｕｍｈｙｄｒａｔｅ）Ｐｕｄｄｌｅ形成显影液回收基板移動基板傾斜Ｐｕｄｄｌｅ形成後、静止Ｐｕｄｄｌｅ形成显影液回收Ｐｕｄｄｌｅ形成後、静止Ｎｏｚｚｌｅ移動基板摇动显影显影液回収基板进行3、显影：显影方式：253、显影：显影液控制系统：26現像時間vs．Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ寸法工艺参数控制：3、显影：27現像時間vs．Ｐｈｏｔｏｒ