GaAspHEMT外延层转移技术研究-论文.pdf

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1、GaAspHEMT外延层转移技术研究赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰(微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016)TheResearchofGaAspHEMTEpitaxialLayerTransferringTechnologyZHAOYanWULishuSHIGuixiongCHENGWeiLIRuiCHENTangshengCHENChen(ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModule

2、sLaboratory，NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing,210016,CHN)随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究，在国内首次将1．5lam厚的76．2mm(3英寸)GaAspHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示)，并进

3、行了Si基GaAspHEMT器件的制备(如图2所示)。测试表明，Si基GaAspHEMT器件性能与GaAs基pHEMT器件性能相比没有发生退化(如图3所示)，这说明外延层转移工艺后，外延层材料的质量未受影响。图176．2mm(3英寸)GaAspHEMT(a)(b)外延层转移到Si衬底图2si衬底GaAspHEMT器件：(a)正面照片；(b)剖面照片Fig．176．2mm(3inch)GaAspHEMTFig．2PhotosofGaAspHEMTonSisubstrate：epitaxiallayert

4、ransferredtoSisubstrate(a)Verticalview；(b)Cross—sectionalview图3Si基GaAspHEMT与GaAs基pHEMT直流特性对比Fig．3／-VcharacteristicsofGaAspHEMTonGaAsandGaAspHEMTonSi