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1、毕业论文题目外延抑制自掺杂技术研究学生姓名学号专业班级应用物理指导教师学院答辩日期62目录摘要1ABSTRACT2第一章外延技术概述31.1概述41.2外延工艺知识41.3外延层制备的主要设备5第二章掺杂存在的问题及解决方法72.1掺杂过程72.2掺杂剂的来源72.3外延参数的测量与控制82.4自掺杂92.5自掺杂的抑制102.6外延抑制自掺杂的主要技术11第三章外延抑制自掺杂技术试验研究153.1低压外延技术153.2低温外延技术183.3HCL腐蚀抛光技术213.4背封技术25总结27参考文献错误！未
2、定义书签。致谢29附录一:外文资料翻译译文30附录二:外文原文4662摘要外延层杂质浓度是影响电学性能的重要参数，外延掺杂存在有意识掺杂和无意识掺杂（即自掺杂），自掺杂影响外延生长。自掺杂降低了衬底/外延界面过渡区的陡峭程度，同时也增加了外延淀积过程中的本底浓度。不但对外延层的电阻率控制带来相当大的困难，使外延层界面处杂质分布梯度变缓，外延层有效厚度减薄，PN结击穿电压的显著降低，晶体管的大电流特性变坏，特别不利于要求薄而界面处杂质分布陡的外延层的微波器件的制造。而且一些有害杂质的存在，还会使噪声增加等。
3、本文对外延淀积过程中自掺杂的产生进行了分析，提出了在外延淀积过程中可以通过改变压力、温度、及采用HCl腐蚀抛光技术、背封技术、H2烘烤赶气技术、二步外延技术等方法来解决外延自掺杂，从而改善器件的特性参数。关键词：外延；淀积；自掺杂；62AbstractTheimpurityconcentrationisakeyparameterwhichhasaneffectontheelectricalperformanceofthedeviceintheepitaxy,thedopingofepitaxyexists
4、consciousandunconsciousdoping(i.e,self-doping),thegrowthofepitaxyisinfluencedbyself-doping.Sincetheself-dopingreducedthesteepdegreeofsubstrateandtheepitaxyinterfaceoftransitionregion,alsoincreasedbackgroundconcentrationintheprocessoftheextension.Itmakesth
5、econtroloftheepitaxy,sresistivitydifficult,theepitaxyoftheinterfacebetweenlayerimpuritiesdistributiongradientslow,theepitaxyofeffectivethicknessthin,thebreakdownvoltageofPNjunctionsignificantlyreduce,andthecurrentcharacteristicsoftransistorchangebad,espec
6、iallytothedisadvantageofmanufacturingmicrowavedevices,whichwererequiredthinandthedistributionoftheimpuritiesweresteepintheinterface.Andtheexistenceofsomeharmfulimpurities,stillcanmakenoiseup,etc.Thispaperanalisedthegenerationofself-dopingduringtheepitaxia
7、ldeposition,sometechniquessuchasalteringpress,temperature，HClrot,back-seal,H2expel，andtwo-stepepitaxy,areproposedtoimprovetheelectricalcharateristicsofthedevicebyreducingself-dopingeffectduringepitaxialdeposition.Keywords:Epitaxy；Deposition；Self-doping；第一
8、章外延技术概述621.1概述外延生长（通常亦称外延）是半导体材料和器件制造的重要工艺之一，它的应用和发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都具有重要意义。所谓外延就是在一定的条件下，在单晶衬底上，沿原来的结晶方向生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。生长的单晶层称为外延层。如图[1]1-1所示。图1-1硅外延层1.2外延工艺知识1.2
