熔盐净化-电解法制备高纯铟.pdf

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1、第12卷第1期粉末冶金材料科学与工程2007年2月Voi.12No.1MaterialsScienceandEngineeringofPowderMetallurgyFeb.2007熔盐净化电解法制备高纯铟1122袁铁锤，周科朝，陈志飞，宁顺明（1.中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙410083；2.长沙矿冶研究院冶金材料研究所，长沙410012）摘要：为研究成熟、可靠的SN高纯铟生产技术，以4N精铟为原料，采用熔盐净化电解法制备出SN高纯铟。熔盐净化的反应温度为200~220C，反应时间约2h，实验中I2和KI用量为理论用量的S~10倍；电解工艺要点2+为：以除

2、镉后的4N金属铟熔铸成阳极，以纯钛板为阴极，电解液采用硫酸铟体系，其中In浓度为60~80g/L、NaCi60~80g/L、明胶1g/L、pH值为2.0~2.8，电解过程中控制槽电压为0.2V左右、温度20~30C、电流密度240~70mA/cm，同时采取措施防止其它杂质离子的污染，即可制备出SN高纯铟产品，而且工艺流程简单、条件容易控制。关键词：高纯铟；熔盐净化；电解精炼；熔铸中图分类号：TF114.S文献标识码：A文章编号：16730224（2007）1S904Preparationofhigh-purityindiumbymolten-purification

3、andelectrolysisprocess1122YUANTie-chui，ZHOUKe-chao，CHENZhi-fei，NINGShun-ming（1.StateKeyLaboratoryofPowderMetaiiurgy，CentraiSouthUniversity，Changsha410083，China；2.Departmentofmetaiiurgyandmateriais，ChangshaResearchInstituteofMiningandMetaiiurgy，Changsha410012，China）Abstract：Inordertofin

4、doutamatureandreiiabieproductiontechnoiogyofSNhigh-purityindiummetai，theSNhigh-purityindiumwaspreparedbyusingmoiten-purificationandeiectroiysisprocesswith4Nindiummetaiasrawmateriai.TheSNhigh-purityindiumcanbepreparedifthepreferredconditionsintheprocessofmoiten-purificationare：200220Cof

5、temperature，2hofreactingtime，thedosageofI2andKIbeingS10timesofthetheoreticaidosage.Theconditionoftheeiectroiysisprocessisasfoiiows：4Nindiummetaibeingmeitedandcastasanodeafterremovingcadmium，titaniumboard2+ascathode，In（2SO4）3soiutionsystemaseiectroiytewhoseconcentrationofInis6080g/L，con

6、centrationofNaCiis6080g/L，concentrationofgiutinis1g/L，pHvaiue2.02.8，bathvoitageabout0.2V，temperature2030C，cur-2rentdensity4070mA/cm.AnditisprovedthattheguaiityoftheSNindiumpreparedishigh，thetechnoiogyusedissimpieandtheconditioniseasytocontroi.Keywords：high-purityindium；moiten-purificat

7、ion；eiectroiysisrefining；smeiting高纯铟通常是指纯度大于SN（99.999%）的金年来，随着铟的用途日益广泛，特别是液晶显示器属铟，主要用于半导体电子器件、透明导电涂层和半导体产业的迅速发展，对金属铟纯度方面的要［1］［2］（ITO靶材）、荧光材料和金属有机物等领域。近求越来越高，需求量越来越大。美国、日本和俄基金项目：湖南省科学技术厅科技计划资助项目（2006GK3133）收稿日期：20060717；修订日期：20060901通讯作者：周科朝，电话：07318836418；E-maii：zhoukechao@maii.csu.e