电子材料复习重点

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1、第一章绪论电子材料：是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，包括介电材料、半导体材料、压电与铁电材料、导电金属及其合金材料、磁性材料、光电子材料以及其他相关材料新技术革命的四大支柱：材料、信息、能源、生物。电子材料的地位：是电子技术进步的原动力，表现在两个方面1•电子产品的性能直接依赖于电子材料的特性2.新型电子材料的开发促进新型电子元器件的发展.电子材料的分类：按化学组成：金属、无机非金属、有机按物质状态：单品、多品、非晶等按物理性能：绝缘、导电、超导等按功能原理：铁电、压电、热电等按用途：导电、半导体、磁性、结构等第二章电介质理论基础电

2、介质极化的定义：在外电场作用下电介质内部感生偶极矩的现象.电介质极化的基本类型：按作用质点的性质分类电子极化离子极化（离子位移极化、热离子极化）偶极子转向极化、自发式极化空间电荷极化匿劳修斯奥索缔方程…y.极化强度：单位体积内感生偶极矩的矢量和冷二舸。晋若介质中的电场均匀，则有:凤=半s若单位体积中有吧个极化粒子，极化粒子偶极矩的均值为卩，则有4啣对于线性极化，卩与电场强度成正比，有：»=a匕综合上述式子可以得到：—%叽根据极化强度定义：3Q，dQ，（£「1）00（»1〉C.USdSS（s*r-1）e—U=-=（£r■1）EqE电介质极化宏

3、观参数与微观参数的关系：£=1+导e+2对于气体、非极性电介质及结构高度对称或完全无序的介质有：见=p—E整理后，可得克劳修斯舆索缔方程（克寞方程）；g,-l_noa£+23s0频率较低时极化损耗为o的论证：当电场频率很低时，极化跟得上电场变化，D与E没有相位差D=D0COS（wt）对D求导，得介质的位移电流密度：j=—=—a)D{}sincot=coD()cos(—fcot)dt2它超前电场强度n/2,即充电电流超前电压兀/2,由此可得单位时间内每单位体积中所损耗的能量为：j•Edf将位移电流密度代入上式得:丨3W—D()e£01sin^

4、yrcoscotdt=0即频率较低时极化损耗为02龙J()电介质电导的类型：1•电子/空穴电导2.离子/空格点电导3.电泳电导自持放电形成的条件：阴极上释放出二次电子数大于初始发射电子数目固体介质导电电子的来源：①本征激发:在常温下，因热起伏使介质中满带的电子激发到导带上，参与导电，由于电介质的禁带宽度较大，这种电子数量较少。②杂质电离:处于杂质能级激发态上的电子被激发进入导带，成为导电电子；此杂志能级上的电子一般由外来杂质引入或基质材料的化学计量比发生偏离而提供，它的数量比本证激发多。③注入电子:在强电场作用下，直接从阴极发射出的自由电子

5、注入电介质中，故在强电场作用下，它是一个不容忽视的因素。液态电介质中气泡的来源：阴极强场发射的电子市电流加热液体，使其分解产生气体；电子碰撞液体分子，使分子分解产生气体；电极表而电场集屮地部位产生电源放电，引起液体气化；电极表面吸附气体或存在气泡。气体的J・E特性曲线，与液体区别(重点不在曲线，在区别)k气体的J・E特性曲线液体的J・E特性曲线卩与气体电介质相比最大的区别=在中等场强区没有明显的电流饱和现象液体密度大，离子迁移率小，离子相遇机会多，复合的几率大…电泳电导：当对液体介质施加电场时，胶粒沿着电场方向漂移而形成电流，称为电泳电导。

6、针•板电极的气体击穿能力：当针尖为正极时更易击穿；针尖为负极时击穿电压高于前者。固体介质击穿的类型：1.电击穿；2.热击穿；3.局部放电击穿；4.树枝化击穿。粘度常用表示方法：动力粘度、运动粘度、相对粘度。第三章无机介电材料为什么电子陶瓷多选用氧化物作为主晶相：电子陶瓷大都选用氧化物作主晶相。这是因为氧化物晶体具有优良的介电性能，其机械强度、热稳定性和化学稳定性都比较高。此外，由于氧化物品体中的金属离子般具有很大的可置换型，因此常可通过在陶瓷中加入各种添加剂的方法，以不同类型、不同大小、不同电价的异质离子置换氧化物中的金属离子，从而将陶瓷的

7、主晶相转变成各种类型的固溶体。这样就可以在一定范围内控制电子陶瓷的各种性质，使其符合各种应用的要求滑石瓷老化的解决方案：提高玻璃相的含量；控制晶粒的大小；严防游离石英的混入钛酸顿陶瓷的改性分类①置换改性:利用添加物大量地溶解于钛酸顿屮与相应离子进行置换形成钛酸顿基固溶体，从而使陶瓷性能得到改善的方法。只有电价相同、离子半径和极化性能相近的离子才能进行大量置换。②掺杂改性：又称取代改性，取代与被取代离子性能相差较大。③移峰和压峰改性：通过改性移动介电常数峰值的温度(居里温度)或对居里峰进行压抑。玻璃的通性：1.各向同性2.介稳性3.性质的连续

8、性玻璃的组成成分及其作用主要原料：网络形成体、网络外体和网络中间体三类氧化物；添加物：1•澄清剂：形成大量气体带走玻璃液中的气泡；2.加速剂：降低熔化温度、加速澄清和熔制过程；3