2019-2020学年高二物理6月月考试题 (II)

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1、2019-2020学年高二物理6月月考试题(II)一、选择题：（本题共14小题，共47分。第1～9题只有一项符合题目要求，每题3分；第10～14题有多项符合题目要求，全部选对的得4分，选对但不全的得2分，有选错的得0分）1．下列说法正确的是（　　）A．光波是概率波，物质波是机械波B．微观粒子的动量和位置的不确定量同时变大，同时变小C．普朗克的量子化假设是为了解释光电效应而提出的D．光和电子、质子等实物粒子都具有波粒二象性2．卢瑟福提出原子的核式结构学说的根据是粒子轰击金箔的实验，在实验中他发现粒子（）A．全部穿过或发生很小的偏转B．全部发生很大的偏转，甚至有的被反弹回C．绝大多数不

2、发生或只发生很小的偏转，有极少数发生很大的偏转，个别甚至被弹回　　D．绝大多数发生很大的偏转，甚至被反弹回，只有少数穿过3.在光电效应实验中，飞飞同学用同一光电管在不同实验条件下得到了三条光电流与电压之间的关系曲线（甲光、乙光、丙光），如图所示。则可判断出（　　　　）A.甲光的频率大于乙光的频率B.乙光的波长大于丙光的波长C.乙光对应的截止频率大于丙光的截止频率D.甲光对应的光电子最大初动能大于丙光的光电子最大初动能4.下列有关半衰期的说法中正确的是（　　）　　A.所有放射性元素都有半衰期，其半衰期的长短与元素的的质量有关B.半衰期是放射性元素有半数核子发生衰变所需要的时间C.一块

3、纯净的放射性元素矿石，经过一个半衰期后，它的总质量仅剩下一半D.放射性元素在高温和高压下，半衰期变短，在与其他物质组成化合物时半衰期要变长5.如图所示，两个相切的圆表示一个静止的原子核发生某种核反应后产生的两种粒子在匀强磁场中的运动轨迹，可以判定（）A.原子核只可能发生β衰变B.原子核可能发生α衰变或β衰变C.原子核放出一个正电子D.原子核放出一个中子6．根据表格中的内容，判断下列说法不正确的是（）材料铯钙镁铍钛金逸出功W/eV1.92.73.73.94.14.8A.只要入射光的强度足够大，照射时间足够长，表中的金属均可以发生光电效应B.用某光照射表中金属，均能够发生光电效应，则从

4、铯表面逸出的光电子的最大初动能最大C.使表中金属发生光电效应时，铯的极限频率最小D.使表中金属发生光电效应时，金的极限波长最小7.在轧制钢板时需要动态地监测钢板厚度，其检测装置由放射源、探测器等构成，如图所示，该装置中探测器接收到的是（）A.x射线B.α射线C.射线D.γ射线8.下列关于结合能和比结合能的说法中，正确的有（　　　）A．核子结合成原子核吸收的能量或原子核拆解成核子放出的能量称为结合能B．比结合能越大的原子核越稳定，因此它的结合能也一定越大C．重核与中等质量原子核相比，重核的结合能和比结合能都大D．中等质量原子核的结合能和比结合能均比轻核的要大9.爱因斯坦提出了光量子概

5、念并成功地解释光电效应的规律而获得1921年的诺贝尔物理学奖。某种金属逸出光电子的最大初动能与入射光频率的关系如图所示，其中为极限频率。从图中可以确定的是（）A.逸出功与有关B.于入射光强度成正比C.<时，会逸出光电子D.图中直线的斜率与普朗克常量有关10．关于原子结构的认识历程，下列说法正确的有(　　)A．汤姆孙发现电子后猜想出原子内的正电荷集中在很小的核内B．α粒子散射实验中少数α粒子发生了较大偏转是卢瑟福猜想原子核式结构模型的主要依据C．对原子光谱的研究开辟了深入探索原子结构的道路D．玻尔原子理论无法解释较复杂原子的光谱现象，说明玻尔提出的原子定态概念是错误的11.下列说法正

6、确的是（）A.α射线和γ射线都是电磁波B.β射线是原子的核外电子电离后形成的电子流C.用加温、加压或改变其化学状态的方法都不能改变原子核衰变的半衰期D.原子核经过衰变生成新核，则新核的总质量总小于原核的质量12.贫铀炸弹是一种杀伤力很强的武器，贫铀是提炼铀235以后的副产品，其主要成分为铀238，贫铀炸弹不仅有很强的穿甲能力，而且铀238具有放射性，残留物可长期对环境起破坏作用而造成污染.人长期生活在该环境中会受到核辐射而患上皮肤癌和白血病.下列结确的是（）A.铀238的衰变方程式为：→+B.和互为同位素C.人患皮肤癌和白血病是因为核辐射导致了基因突变D.贫铀弹的穿甲能力很强，也是

7、因为它的放射性13.天然放射性元素Th(钍)经过一系列衰变和衰变之后,变成Pb(铅)，下列论断正确的是()A．铅核比钍核少24个中子B．铅核比钍核少8个质子C．衰变过程中共有4次衰变和8次衰变D．衰变过程中共有6次衰变和4次衰变14.如图所示为氢原子的能级图。现有大量处于n＝3激发态的氢原子向低能级跃迁。下列说法正确的是（）A．这些氢原子总共可辐射出三种不同频率的光B．氢原子由n＝3跃迁到n＝2产生的光频率最大C．这些氢原子跃迁时辐射出光子能量的最大值为10.2eVD