《IC封装介绍》PPT课件

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1、ICPackageintroductionICPackage隨著半導體製程技術能力不斷向上提升,半導體晶片的功能日益強大,以致半導體晶片訊號的傳輸量逐漸增加,晶片的腳數亦隨之增加,過去以導線架(Lead-Frame)的封裝形式已逐漸無法滿足市場的需求!因而讓封測產業一路由低階的DIP(DualIn-LinePackage)、SOP(SmallOut-LinePackage)、TSOP等逐漸走向以IC載板的閘球陣列(BGA)、覆晶(FlipChip;FBGA),乃至於CSP(晶圓尺寸封裝)等高階封裝形式這是

2、因為來自於終端應用市場的需求,使得封裝技術必須不斷翻新來滿足市場的需要。ICPackage根據ICInsight的封裝技術演進史,可以說是每10年,就會出現一次主流封裝技術更換!1970年代的主流技術為DIP,這種封裝技術是引腳插入技術為基礎,大多是應用於64腳以下的電子元件封裝。到了1980年代,隨著終端應用市場的需求,主流封裝由雙邊引腳的DIP,進化到周邊引腳且以表面黏著技術為基礎的QFP(QuadFlatPackage)及LCC(Leaded/LeadlessChipCarrier),除此之外,還有

3、CPU是以面陣列引腳型態的PGA以及因應消費性電子商品所產生的SOP小型化封裝技術。ICPackage1990年代,在消費性電子訴求輕薄短小的趨勢下,強調比SOP更小更薄的SSOP/TSOP及TQFP/FQFP成為這一世代的封裝主流,不過在晶片、繪圖卡等高階產品閘樹、設計複雜度的影響下,在1990年代末期,具備更高腳數且效能佳的BGA(BallGridArray)竄升成為市場主流。而2000年起,來自於手機以及高階電腦架構的需求以及降低成本考量,CSP、FBGA、晶圓級封裝(WaferLevelPacka

4、ging;WLP)等取代先前的技術成為市場主流。ICPackageICPackageICPackageICPackageTABWireBound-PBGA應用端急速爆發的覆晶封裝技術(Flip-Chip)晶圓級封裝-因應高效能與低成本而生取代SOC(系統單晶片)成為市場解決方案的SIP(系統級封裝)因應手機多媒體需求MCP封裝技術誕生(多晶片封裝-Multi-ChipPackaging)TCP&COF–LCDapplicationTABFlipChipWireBoundComeinsoon……WaferP

5、ackage以晶圓代工為中心的思考模式,通常將晶圓製造分為前段及後段製程,所謂的前段半導體製程是以晶圓測試(WaferProbing)為分界點,台積電的晶圓代工作業,就是進行到WaferProbing後,再交由封裝廠進行後段製程。  然而,晶圓級封裝將模糊這傳統的概念,因為晶圓級封裝是在晶片切割前,就進行封裝、測試的作業,晶圓級封裝整合前、後段製程,沒有打金線作業、沒有基板、沒有介電材料(underfill),部分前段製程技術的再延伸。與傳統晶片封裝方式不同之處,在於晶圓級封裝技術可先在整片晶圓上進行封

6、裝和測試之後,再切割成個別的晶粒,無需經過打線與填膠程序,且封裝後的晶片尺寸等同晶粒原來的大小。  因此,晶圓級封裝技術的封裝方式,不僅明顯縮小IC尺寸,符合行動資訊產品對高密度積體空間的需求,在電器特性規格上,也因晶片可以最短的電路路徑,透過錫球直接與電路板連結,因而大幅提昇資料傳輸速度,有效降低雜訊干擾機率。ICPackage–晶圓封裝晶圓級封裝是以凸塊(Bumping)或錫球(BallMount)直接與PCB相連,由於不需要中介層(Interposer)、填充物(Underfill)與導線架,並省

7、略黏晶、打線等製程,大幅減少材料及人工成本;相較於QFN(QuadFlatNo-lead)封裝技術,晶圓級封裝可節省20%以上的成本,充分地滿足兼顧成本考量與精巧型設計導向的晶片封裝需求,而且晶圓級封裝之所有製程幾乎都在晶圓上完成,也可以有效縮短封裝製程之時程。  目前晶圓級封裝比較常看見PolymerCollarWLP、UltraCSP等技術,PolymerCollarWLP技術不同於UltraCSP容易會發生在錫球與晶片面的連接處,因為機械性震動或是操作時之溫度差異而導致連接點斷裂,導致接觸不良的現

8、象。此技術即是為了強化錫球與晶片面接點的強度,以聚合物在錫球與晶片連結處的周圍,披上一層環狀的強化材質,可有效減少錫球與晶圓表面連接點的破裂機會。  採用PolymerCollarWLP封裝技術的晶片,可強化錫球與晶片接合處的強度,其錫球焊接處的接合壽命可延長30~50%,進而改善晶片對於系統運作之可靠度(boardlevelreliability),另一方面,PolymerCollarWLP也可適用於封裝較大尺寸的晶粒,並

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