《IC芯片封装流程》PPT课件.ppt

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1、IntroductionofICAssemblyProcess IC封装工艺简介FOL–BackGrinding背面减薄Taping粘胶带BackGrinding磨片De-Taping去胶带将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils~10mils);磨片时,需要在正面(ActiveArea)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;FOL–WaferSaw晶圆切割WaferMount晶圆安装WaferSaw晶圆切割WaferWash清洗将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切

2、割开后,不会散落;通过SawBlade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的DieAttach等工序;WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;FOL–WaferSaw晶圆切割WaferSawMachineSawBlade(切割刀片):LifeTime:900~1500M;SpindlierSpeed:30~50Krpm:FeedSpeed:30~50/s;FOL–2ndOpticalInspection二光检查主要是针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。Chip

3、pingDie崩边FOL–DieAttach芯片粘接WriteEpoxy点银浆DieAttach芯片粘接EpoxyCure银浆固化EpoxyStorage: 零下50度存放;EpoxyAging: 使用之前回温,除去气泡;EpoxyWriting: 点银浆于L/F的Pad上,Pattern可选;FOL–DieAttach芯片粘接芯片拾取过程:1、EjectorPin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于 脱离蓝膜;2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片,完成从Wafer到L/F的运输过程;3、Collect以一定的力将

4、芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;4、BondHeadResolution:X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;5、BondHeadSpeed:1.3m/s;FOL–DieAttach芯片粘接EpoxyWrite:Coverage>75%;DieAttach:Placement<0.05mm;FOL–EpoxyCure银浆固化银浆固化:175°C,1个小时;N2环境,防止氧化:DieAttach质量检查:DieShear(芯片剪切力)FOL–WireBonding引线焊接利用高纯度的金线(Au)、铜线(Cu

5、)或铝线(Al)把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是LeadFrame上的连接点。W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。FOL–WireBonding引线焊接KeyWords:Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个BondingTool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第一和第二焊点;EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(Bon

6、dBall);BondBall:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在LeadFrame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);W/B四要素:压力(Force)、超声(USGPower)、时间(Time)、温度(Temperature);FOL–WireBonding引线焊接陶瓷的Capillary内穿金线,并且在EFO的作用下,高温烧球;金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下,形成BondBall;金线在Cap施加的一定压力作用下,形成Wedge;FO

7、L–WireBonding引线焊接利用高纯度的金线(Au)、铜线(Cu)或铝线(Al)把Pad和Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是LeadFrame上的连接点。W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。FOL–WireBonding引线焊接EFO打火杆在磁嘴前烧球Cap下降到芯片的Pad上,加Force和Power形成第一焊点Cap牵引金线上升Cap运动轨迹形成良好的WireLoopCap下降到LeadFrame形成焊接Cap侧向划开,将金线切断,形成鱼尾Cap上提,完成一次动作FOL–WireBonding

8、引线焊接WireBond的质量控制:WirePull、StitchPull(金线颈部和尾部拉力)BallShear(金球推力)WireLoop(金线弧高)BallT

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